[发明专利]压力接触型半导体器件及其转换器

权利要求书

1．一种压力接触型半导体器件，其包括：

一对主电极板，

在所述的一对主电极板之间的间隔装配的至少一个半导体元件，其包括；

至少位于第1主平面上的第1主电极，

位于第2主平面上的第2主电极；

其内部具有宏观空位的金属体，设置在所述半导体元件主电极和所述的主电极板之间。

2．一种压力接触型半导体器件，其包括：

一对主电极板，

在所述的一对主电极板之间的间隔装配的至少一个半导体元件，其包括；

至少位于第1主平面上的第1主电极，

位于第2主平面上的第2主电极；

导电的中间电极板，设置在所述的半导体元件主电极和面对所述的半导体元件主电极的主电极板之间，

其内部具有宏观空位的金属体，设置在中间电极板和所述的主电极板之间。

3．按照权利要求1和2中任何一个权利要求的压力接触型半导体器件，其中所述的金属体是选自金属网，制造不均匀的金属板，多孔金属板组中的任何一个。

4．一种压力接触型半导体器件，其包括：

一对主电极板，

在所述的一对主电极板之间的间隔装配的至少一个半导体元件，其包括；

至少位于第1主平面上的第1主电极，

位于第2主平面上的第2主电极；

选自金属网，制造不均匀的金属板，多孔金属板组中的任何一个，设置在所述的半导体元件主电极和所述的主电极板之间。

5．一种压力接触型半导体器件，其包括：

一对主电极板，

在所述一对主电极板之间的间隔装配的至少一个半导体元件，其包括；

至少位于第1主平面上的第1主电极，

位于第2主平面上的第2主电极；

导电的中间电极板，设置在所述的半导体元件主电极和面对所述的半导体元件主电极的主电极板之间，

选自金属网，制造不均匀的金属板，多孔金属板组中的任何一个，设置在所述的中间电极板和所述的主电极板之间。

6．按照权利要求1,2,4和5中任何一个权利要求的压力接触型半导体器件，其中，其内部具有微观孔隙的所述的金属体是由选自铜，铝，银，金，镍和用上述元素中的任何一个作为主要成分的合金组中任何材料构成的。

7．按照权利要求1,2,4和5中任何一个权利要求的压力接触型半导体器件，其中，致密金属层由下述金属构成，该金属较耐氧化，或比在其内部具有微观孔隙所述的金属体至少一侧表面形成的所述材料较软。

8．按照权利要求1,2,4和5中任何一个权利要求的压力接触型半导体器件，其中，软金属箔设置在半导体元件的所述主电极的相互面对的至少一个接触面，所述的中间电极板，和所述的主电极板之间。

9．按照权利要求1,2,4和5中任何一个权利要求的压力接触型半导体器件，其中，软金属膜形成在所述的中间电极板或所述的主电极板的至少一个接触面上。

10．按照权利要求1,2,4和5中任何一个权利要求的压力接触型半导体器件，其中，制造的所述的主电极板和中间电极板的至少一个板的最大表面粗糙度(Rmax)超过1μm。

11．一种功率变换器，利用压力接触型半导体器件作为主要变换元件，其中所述的半导体器件包括：

一对主电极板，

在所述的一对主电极板之间的间隔装配的至少一个半导体元件，其包括；

至少位于第1主平面上的第1主电极，

位于第2主平面上的第2主电极；

其内部具有宏观空位的金属体，设置在半导体元件主电极和所述的主电极板之间。

12．一种功率变换器，利用压力接触型半导体器件作为主要变换元件，其中所述的半导体器件包括：

一对主电极板，

在所述的一对主电极板之间的间隔装配的至少一个半导体元件，其包括；

至少位于第1主平面上的第1主电极，

位于第2主平面上的第2主电极；

导电的中间电极板，设置在所述的半导体元件主电极和面对所述的半导体元件主电极的主电极板之间，

其内部具有宏观空位的金属体，设置在所述中间电极板和所述主电极板之间。