[发明专利]具有动态阈值电压的晶体管电路无效
| 申请号： | 99100907.X | 申请日： | 1999-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1238532A | 公开（公告）日： | 1999-12-15 |
| 发明（设计）人： | E·J·诺瓦克;R·D·罗斯;M·H·汤 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C19/28 | 分类号： | G11C19/28;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 动态 阈值 电压 晶体管 电路 | ||
1．一种半导体器件，包括：
衬底；
形成在衬底内的晶体管，其中所述晶体管包括连接到栅极的输入节点、输出节点和体区；以及
动态控制所述晶体管阈值电平的电路，其中所述电路包括连接到晶体管的输入节点和体区的电阻。
2．根据权利要求1的半导体器件，特征在于还包括：
在晶体管的扩散区形成于其中的衬底内的隔离阱；以及
连接到隔离阱的晶体管的体区上的接触，其中接触将电阻连接到阱。
3．根据权利要求1的半导体器件，特征在于电阻的数值大于晶体管的输入阻抗。
4．根据权利要求1的半导体器件，特征在于电阻具有的数值使时间延时RCin大于输入信号上升时间，其中：
测量的所述输入信号上升时间为V/(dV/dt)；
R为电阻的数值；
Cin为输入电容；
V为电源电压；以及
dV/dt是输入信号的改变速率。
5．根据权利要求4的半导体器件，特征在于电阻具有的数值使RCbody小于输出节点信号的上升时间，其中Cbody为晶体管体区的电容。
6．一种晶体管器件，具有动态可调的阈值电平，包括：
连接到输入节点的栅极；
体区，其中体区包括连接到其内形成晶体管的扩散区的隔离阱的接触；以及
连接在输入节点和接触之间的电阻。
7．根据权利要求6的晶体管器件，特征在于电阻集成在晶体管器件内。
8．根据权利要求6的晶体管器件，特征在于晶体管分立地连接在体区附近。
9．根据权利要求6的晶体管器件，特征在于电阻具有的数值使时间延时RCin大于输入信号上升时间，其中：
测量的所述输入信号上升时间为V/(dV/dt)；
R为电阻的数值；
Cin为输入电容；
V为电源电压；以及
dV/dt是输入信号的改变速率。
10．根据权利要求9的晶体管器件特征在于电阻具有的数值使RCbody小于输出节点信号的上升时间，其中Cbody为晶体管体区的电容。
11．根据权利要求10的晶体管器件，特征在于电阻具有的数值使晶体管体区的RC延时小于输出节点的信号的上升时间。
12．根据权利要求6的晶体管器件，特征在于还包括连接在体区的接触和输出节点之间的二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/99100907.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改进的动态存取存储器延迟电路及其方法
- 下一篇：定长数据处理型接口设备
