[发明专利]二维图像检像器及其制造方法

权利要求书

1．一种二维图像检像器，其特征在于，该检像器包括：

具有开关元件(5)和包含与该开关元件连接的像素电极(16,26)在内的电荷储存电容(4)的有源矩阵基片(1,22)；和

具有电极层(19)和具光导电性的半导体层(18,29)的对置基片(2,27,30)，

所述有源矩阵基片和所述对置基片这两层基片设置成所述电荷储存电容和所述半导体层相对，

还包括设于所述两层基片间与这两层基片连接的连接层(3)。

2．如权利要求1所述的二维图像检像器，其特征在于，所述连接层仅在所述电荷储存电容和所述半导体层相对面的法线方向上具有导电性。

3．如权利要求1或2所述的二维图像检像器，其特征在于，所述半导体层由晶体或多晶材料制成，并且对X射线的灵敏度优良。

4．如权利要求3所述的二维图像检像器，其特征在于，所述半导体层由CdTe或CdZnTe化合物半导体制成。

5．如权利要求1至4中任一项所述的二维图像检像器，其特征在于，所述对置基片在所述半导体层上与所述有源矩阵基片各像素电极相对应的位置，分别具有连接电极(6)。

6．如权利要求5所述的二维图像检像器，其特征在于，所述像素电极面积比所述连接电极面积小。

7．如权利要求1至6中任一项所述的二维图像检像器，其特征在于，所述对置基片在所述半导体层上具有防止电荷从某一面注入的绝缘性电荷阻止层(20)。

8．如权利要求7中所述的二维图像检像器，其特征在于，所述对置基片在所述电荷阻止层上与所述有源矩阵基片各像素电极相对应的位置，分别具有连接电极。

9．如权利要求1至8中任一项所述的二维图像检像器，其特征在于，所述对置基片在所述电极层和所述半导体层之间具有电荷阻止层。

10．如权利要求1至9中任一项所述的二维图像检像器，其特征在于，所述连接层由绝缘性粘接剂(7)和分散于该粘接剂中的导电粒子(8)制成，具有各向异性导电性。

11．如权利要求10所述的二维图像检像器，其特征在于，所述粘接剂具有热硬化性。

12．如权利要求10所述的二维图像检像器，其特征在于，所述粘接剂具有热可塑性。

13．如权利要求10所述的二维图像检像器，其特征在于，所述粘接剂具有光硬化性。

14．如权利要求10所述的二维图像检像器，其特征在于，所述粘接剂为糊状。

15．如权利要求10所述的二维图像检像器，其特征在于，所述粘接剂为膜状。

16．如权利要求1至15中任一项所述的二维图像检像器，其特征在于，所述有源矩阵基片具有控制电极配线(10)和源电极配线(11)，所述控制电极配线、所述源电极配线和所述开关元件(5)几乎全部为绝缘性保护膜(24)所覆盖。

17．如权利要求16所述的二维图像检像器，其特征在于，所述像素电极(26)配置在所述绝缘性保护膜上。

18．如权利要求1至17中任一项所述的二维图像检像器，其特征在于，所述对置基片在所述电极层未形成半导体层一侧表面上具有对放射线或光具透射性的支承基片(28)。

19．如权利要求1至17中任一项所述的二维图像检像器，其特征在于，所述半导体层(18)可兼用作支承基片。

20．如权利要求5或8所述的二维图像检像器，其特征在于，在所述连接电极上与所述像素电极相对应设有凸电极(31)。

21．如权利要求1至19中任一项所述的二维图像检像器，其特征在于，在所述像素电极上设有凸电极(31)。

22．如权利要求1至21中任一项所述的二维图像检像器，其特征在于，所述半导体层对放射线具有光导电性。

23．如权利要求1至21中任一项所述的二维图像检像器，其特征在于，所述半导体层对可见光或红外光具有光导电性，而所述电极层对可见光或红外光具有透射性。