[发明专利]成膜设备和形成结晶硅薄膜的方法

权利要求书

1．一种成膜设备，它包括：

用于在基片上形成结晶硅薄膜的形成硅薄膜的真空室；

为该真空室而装备的成膜装置，以在所述基片的目标表面上形成结晶硅薄膜的预制膜；以及

为该真空室而装备的能量束辐照装置，以便用能量束辐照所述预制膜使之结晶。

2．如权利要求1所述的成膜设备，其特征在于

所述成膜装置能以第一方向沿所述基片的目标表面的一定长度形成所述预制膜，所述能量束辐照装置能以第一方向沿基片的该长度用能量束辐照基片的目标表面，基片传输装置位于所述形成硅薄膜的真空室中，以与目标表面的所述第一方向交叉的第二方向移动所述基片。

3．如权利要求1所述的成膜设备，其特征在于所述成膜装置包括用于向基片发射离子束的离子源。

4．如权利要求3所述的成膜设备，其特征在于所述离子源可发射发射能约为100eV-10keV的离子束。

5．如权利要求2所述的成膜设备，其特征在于所述成膜设备包括用于向基片发射离子束的离子源。

6．如权利要求5所述的成膜设备，其特征在于所述离子源可发射发射能约为100eV-10keV的离子束。

7．如权利要求1所述的成膜设备，其特征在于用以在所述基片的目标表面上形成电绝缘薄膜的形成电绝缘薄膜的真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连。

8．如权利要求3所述的成膜设备，其特征在于用以在所述基片的目标表面上形成电绝缘薄膜的形成电绝缘薄膜的真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连。

9．如权利要求5所述的成膜设备，其特征在于用以在所述基片的目标表面上形成电绝缘薄膜的形成电绝缘薄膜的真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连。

10．如权利要求1所述的成膜设备，其特征在于用以在成膜前预热基片的预热真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连。

11．如权利要求1所述的成膜设备，其特征在于能与外部传输基片的初级真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连。

12．如权利要求10所述的成膜设备，其特征在于能与外部传输基片的初级真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连。

13．如权利要求7所述的成膜设备，其特征在于用以在成膜前预热基片的预热真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连；并且

能与外部传输基片的初级真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连。

14．如权利要求8所述的成膜设备，其特征在于用以在成膜前预热基片的预热真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连；并且

能与外部传输基片的初级真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连。

15．如权利要求9所述的成膜设备，其特征在于用以在成膜前预热基片的预热真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连；并且

能与外部传输基片的初级真空室通过一个对外气密的连接装置与所述形成硅薄膜的真空室相连。

16．一种结晶硅薄膜的形成方法，它包括如下步骤：

制备具有形成硅薄膜的真空室以将结晶硅薄膜形成在基片上的成膜设备，该设备装备有成膜装置以将结晶硅薄膜的预制膜形成在基片的目标表面上，并装备有能量束辐照装置以用能量束辐照该预制膜使之结晶；

将基片置于所述形成硅薄膜的真空室中，用所述成膜装置在基片的目标表面上形成结晶硅薄膜的预制膜；

在形成预制膜后，在所述真空室中用从能量束辐照装置中发出的用于使所述预制膜结晶的所述能量束辐照所述预制膜，由所述预制膜制得所需的结晶硅薄膜。