[发明专利]阳极氧化方法和装置以及半导体衬底制造方法

权利要求书

1．一种在衬底上制作多孔层的阳极氧化方法，包含下列步骤：

制备用来对衬底进行阳极氧化的阳极氧化浴槽；

在将所述衬底夹持在所述阳极氧化浴槽中的阳极和阴极之间的情况下，在第一电解液中对待加工的所述衬底进行阳极氧化；

用第二电解液替换第一电解液；以及

在第二电解液中对所述衬底进行阳极氧化，从而在所述衬底上制作具有多层结构的多孔层。

2．根据权利要求1的方法，其中在用第一电解液进行的阳极氧化和用第二电解液进行的阳极氧化之间，改变流过所述阳极和所述阴极的电流的密度。

3．根据权利要求1或2的方法，其中在所述阳极和所述待加工衬底之间插入一个导电膜以防止所述阳极对所述衬底的沾污。

4．根据权利要求3的方法，其中所述导电膜被设置成使从所述阳极流向所述待加工衬底的全部电流都流经所述导电膜。

5．根据权利要求3的方法，其中所述导电膜被设置成覆盖正对着所述待加工衬底的背表面的所述阳极的表面。

6．根据权利要求3的方法，其中所述导电膜被设置成使与所述待加工衬底的表面相接触即在所述阳极侧的电解液隔离于与所述阳极相接触的电解液。

7．根据权利要求4-6中任何一项的方法，其中至少正对着所述待加工衬底的所述导电膜的表面由硅材料制成。

8．根据权利要求4的方法，其中还包含在每次改变阳极氧化条件时更换所述导电膜的步骤。

9．根据权利要求4的方法，其中还包含对应于每种阳极氧化条件制备一种导电膜，且每次改变阳极氧化条件时就使用对应于此条件的导电膜的步骤。

10．根据权利要求1-9中任何一项的方法，其中还包含制作多孔率较低的多孔层作为所述待加工衬底的表面层，以及制作多孔率较高的多孔层作为所述表面层的下层的步骤。

11．根据权利要求10的方法，其中还包含阳极氧化制作多孔率不大于30％的多孔层作为所述表面层的步骤。

12．根据权利要求10的方法，其中还包含阳极氧化制作多孔率不小于30％的多孔层作为所述表面层的所述下层的步骤。

13．根据权利要求10-12中任何一项的方法，其中还包含阳极氧化制作厚度不大于5μm的多孔层作为所述表面层的所述下层的步骤。

14．一种在衬底上制作多孔层的阳极氧化方法，包含下列步骤：

制备至少二个用来对衬底进行阳极氧化的阳极氧化浴槽；在将所述衬底夹持在一个阳极氧化浴槽中的阳极和阴极之间的情况下，对所述待加工衬底进行阳极氧化；并在将所述衬底夹持在下一个阳极氧化浴槽中的阳极和阴极之间的情况下，对所述衬底进行阳极氧化，从而在所述衬底上制作具有多层结构的多孔层。

15．根据权利要求14的方法，其中使用不同的电解液作为用来在至少二个阳极氧化浴槽中的全部或几个中进行阳极氧化的电解液。

16．根据权利要求14或15的方法，其中在至少二个阳极氧化浴槽中的全部或几个中进行阳极氧化时，改变流过所述阳极和所述阴极的电流的密度。

17．根据权利要求14-16中任何一项的方法，其中在所述阳极和所述待加工衬底之间插入一个导电膜以防止所述阳极对所述衬底的沾污。

18．根据权利要求17的方法，其中所述导电膜被设置成使从所述阳极流向所述待加工衬底的全部电流都流经所述导电膜。

19．根据权利要求17的方法，其中所述导电膜被设置成覆盖正对着所述待加工衬底的背表面的所述阳极的表面。

20．根据权利要求17的方法，其中所述导电膜被设置成使与所述待加工衬底的表面相接触即在所述阳极侧的电解液隔离于与所述阳极相接触的电解液。

21．根据权利要求17-20中任何一项的方法，其中至少正对着所述待加工衬底的所述导电膜的表面由硅材料制成。

22．根据权利要求21的方法，其中还包含在每次改变阳极氧化条件时更换所述导电膜的步骤。