[发明专利]半导体装置

权利要求书

1．一种半导体装置，其特征在于，具备：

容纳半导体芯片的封装体，该半导体芯片在内部形成存储元件；以及

被粘贴到上述封装体的表面上并包含热中子吸收材料的热中子吸收片。

2．如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

将上述热中子吸收片通过粘接材料粘贴到上述封装体的表面上，

上述粘接材料包含上述热中子吸收材料。

3．一种半导体装置，其特征在于，具备：

容纳半导体芯片的封装体，该半导体芯片在内部形成存储元件；以及

被设置在上述封装体的内部并包含热中子吸收材料的热中子吸收层。

4．一种半导体装置，其特征在于，具备：

在内部形成存储元件的半导体芯片；以及

被形成在上述半导体芯片的表面上并具有包含热中子吸收材料的热中子吸收部的α线吸收层。

5．如权利要求4中所述的半导体装置，其特征在于：

上述α线吸收层在上述半导体芯片的上表面上和背面上形成。

6．如权利要求4中所述的半导体装置，其特征在于：

上述α线吸收层具有位于上述半导体芯片一侧的不包含上述热中子吸收材料的第1α线吸收部和在该第1α线吸收部上被形成并包含上述热中子吸收材料的第2α线吸收部。

7．一种半导体装置，其特征在于，具备：

容纳半导体芯片的封装体，该半导体芯片在内部形成存储元件；以及

在上述封装体的表面上突出并具有包含热中子吸收材料的热中子吸收部的散热器。

8．如权利要求7中所述的半导体装置，其特征在于：

通过粘接材料将上述散热器安装在上述封装体的表面上，

上述热中子吸收部是添加了上述热中子吸收材料的上述粘接材料。

9．如权利要求7中所述的半导体装置，其特征在于：

上述热中子吸收部包含在上述散热器表面上形成的热中子吸收层。

10．如权利要求7中所述的半导体装置，其特征在于：

将上述热中子吸收材料添加在上述散热器中，

上述热中子吸收部由上述散热器的至少一部分构成。

11．一种半导体装置，其特征在于，具备：

容纳半导体芯片的封装体，该半导体芯片在内部形成存储元件；以及

被涂敷在上述封装体的表面上并包含热中子吸收材料的滑脂。

12．一种半导体装置，其特征在于，具备：

安装半导体芯片的基板，该半导体芯片在内部形成存储元件；

容纳上述基板的容器；以及

被粘贴到上述容器的表面上或上述基板上并包含热中子吸收材料的热中子吸收片。

13．如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

上述热中子吸收材料由从氮化硼、锂和镉中选出的至少1种材料构成。

14．如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

在上述半导体装置的表面上形成了高速中子吸收体，使其覆盖热中子吸收体。