[发明专利]具有浅结的半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 99102721.3 | 申请日： | 1999-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1227965A | 公开（公告）日： | 1999-09-08 |
| 发明（设计）人： | 安永友子 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/425 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 半导体器件 制造 方法 | ||
1.具有含有杂质扩散层的硅衬底的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
在等于或低于3keV的加速电压下，通过厚度等于或小于2.5nm的氧化硅膜向硅衬底中掺杂杂质，氧化硅膜形成在硅衬底上；和
对留有氧化膜的硅衬底退火。
2.具有含有杂质扩散层的硅衬底的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
在等于或低于3keV的加速电压下，通过厚度等于或小于2.5nm的氧化硅膜向硅衬底中掺杂杂质，氧化硅膜形成在硅衬底上；
去掉氧化膜；
在硅衬底上形成覆盖氧化膜；和
对硅衬底退火。
3.具有含有杂质扩散层的硅衬底的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
在等于或低于3keV的加速电压下，通过厚度等于或小于2.5nm的氧化硅膜向硅衬底中掺杂杂质，氧化硅膜形成在硅衬底上；
去掉氧化膜；
以暴露硅衬底前表面的方式对硅衬底退火。
4.具有含有杂质扩散层的硅衬底的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
在等于或低于3keV的加速电压下，向硅衬底中直接掺杂杂质；和
以暴露硅衬底前表面的方式对硅衬底退火。
5.根据前述权利要求3或4所述的方法，其中退火步骤是在含有等于或低于100ppm氧的氮气氛中进行的。
6.根据前述权利要求5所述的方法，其中退火步骤是在1000℃到1100℃范围的温度下进行的。
7.根据前述权利要求3-6任一个所述的方法，其中杂质是硼或氟化硼。
8.具有含有砷扩散层的硅衬底的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
在等于或低于3keV的加速电压下，通过厚度d由下面的公式(1)表示的氧化硅膜向硅衬底掺杂砷，氧化硅膜形成在硅衬底上；和
去掉氧化膜并对硅衬底退火；或者
对留有氧化膜的硅衬底退火，
d≤V/1.3 …(1)
其中d是氧化硅膜的厚度(单位是nm)，V是加速电压(单位是keV)。
9.具有含有硼扩散层的硅衬底的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
在等于或低于3keV的加速电压下，通过厚度d由下面的公式(2)表示的氧化硅膜向硅衬底掺杂硼，氧化硅膜形成在硅衬底上；和
去掉氧化膜并对硅衬底退火；或者
对留有氧化膜的硅衬底退火，
d≤V/0.75 …(2)
其中d是氧化硅膜的厚度(单位是nm)，V是加速电压(单位是keV)。
10.具有含有氟化硼扩散层的硅衬底的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
在等于或低于3keV的加速电压下，通过厚度d由下面的公式(3)表示的氧化硅膜向硅衬底掺杂氟化硼，氧化硅膜形成在硅衬底上；和
去掉氧化膜并对硅衬底退火；或者
对留有氧化膜的硅衬底退火，
d≤V/1.0 …(3)
其中d是氧化硅膜的厚度(单位是nm)，V是加速电压(单位是keV)。
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