[发明专利]半导体光电探测器及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体光电探测器，它包括一个方形的光波导，其中：

反射层被淀积在所述的方形波导的一对平行的表面上；并且

吸收层被淀积在所述的方形波导的至少另外一对平行的表面上。

2．根据权利要求1的半导体光电探测器，其中：所述的吸收层被淀积在除了淀积所述反射层的表面之外的所述方形波导的每对平行的表面上。

3．根据权利要求1或2的半导体光电探测器，其中：当所述波导的纵向沿水平方向时，所述反射层被淀积在所述波导的上表面和下表面上。

4．根据权利要求1－3中任一权利要求的半导体光电探测器，其中：当所述波导的纵向沿水平方向时，所述吸收层被淀积在所述波导的垂直表面上。

5．根据权利要求1的半导体光电探测器，其中：

电极被淀积在这样的表面上，即，这些表面不同于信号光束的入射表面；并且

所述电极被淀积在所述的反射层上。

6．根据权利要求1的半导体光电探测器，其中：所述的反射层是由氧化硅构成的。

7．根据权利要求1的半导体光电探测器，其中：所述的吸收层为Ge薄膜、SiGe混合晶体薄膜或者Si/SiGe多层薄膜。

8．根据权利要求1的半导体光电探测器，其中：所述的方形波导和一个光电探测器被平面集成于一个衬底上。

9．一种半导体光电探测器的制造方法，其中一个波导和一个光电探测器被平面集成于一个衬底上，该方法包括以下步骤：

在一个衬底上淀积第一绝缘薄膜；

在所述绝缘薄膜上淀积具有预定厚度的硅薄膜；

在所述硅薄膜上淀积第二绝缘薄膜；

通过光刻工艺，在所述第二绝缘薄膜中蚀刻一个预定区域；

采用所述第二绝缘薄膜作为蚀刻掩模，通过各向异性干蚀刻工艺形成一个沟槽，所得到的所述沟槽的侧壁垂直于所述衬底，而所述沟槽的底部为所述第一绝缘薄膜的暴露的表面；

通过各向同性干蚀刻或湿蚀刻工艺蚀刻所述侧壁，将所述沟槽的宽度扩大至预定的宽度，其中，所述第一和第二绝缘薄膜被留下而未去除；

在所述侧壁上淀积具有预定厚度的吸收层；

在所述吸收层上淀积另一层硅薄膜；

由导电硅掩埋所述沟槽；

在所述第二绝缘薄膜和所述导电硅上淀积第三绝缘薄膜；

在所述第三绝缘薄膜上形成电极。