[发明专利]碳纳米管的组装技术及电子器件无效
申请号: | 99103111.3 | 申请日: | 1999-03-24 |
公开(公告)号: | CN1091544C | 公开(公告)日: | 2002-09-25 |
发明(设计)人: | 薛增泉;刘惟敏;顾镇南;施祖进;侯士敏;张兆祥;赵兴钰;吴锦雷;吴全德 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77 |
代理公司: | 北京华一君联专利事务所 | 代理人: | 朱美栋 |
地址: | 100871 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 组装 技术 电子器件 | ||
1、一种单壁碳纳米管组装结构,包括单壁碳纳米管和基底两部分,其特征是:
(1)单壁碳纳米管能分立、竖直、牢固的站立在基底上;
(2)基底是下列金属,采用下列金属中的任意一种:金、铂、钨、钼、锑或石墨;
2、根据权利要求1所述的碳纳米管组装结构,其特征在于:
(1)多个单壁碳纳米管以阵列方式排列;
(2)基底为金属平面膜;
3、根据权利要求1所述的碳纳米管组装结构,其特征在于:
(1)一个单壁碳纳米管;
(2)基底可以是金属平面膜或金属针尖丝;
构成单个碳纳米管的组装结构;
4、根据权利要求1所述的碳纳米管组装结构,其特征在于:
(1)一个单壁碳纳米管;
(2)基底为金属丝;
(3)单壁碳纳米管组装结构连接在源电极(5)和漏电极(8)之间,与门电极(6)相邻,门电极(6)与漏电极(8)间用绝缘体(7)隔开,构成碳纳米管放大器;
5、根据权利要求1所述的碳纳米管组装结构,其特征在于:
(1)一个单壁碳纳米管;
(2)基底为金属丝;
(3)单壁碳纳米管组装结构与石英晶体振子(9)相串联,构成振荡器;
6、根据权利要求1所述的碳纳米管组装结构,其特征在于:
(1)一个单壁碳纳米管;
(2)基底为金属膜或金属丝;
(3)电阻(10)与单壁碳纳米管组装结构串联,构成电子开关元件;
7、一种单壁碳纳米管组装方法,所说的组装物包括碳纳米管和金属基底两部分,作为基底的金属可以是金、铂、钨、钼、锑和石墨中的任意一种,组装的方法是:
(1)将纯度90%以上的单壁碳纳米管水溶液胶体静止存放一个月左右;
(2)按水溶液不同的柱高位置,分选所需长度的碳纳米管原液;
(3)按所需量的原液加入去离子水稀释;
(4)彻底清除金属基底表面的油污杂质;
(5)用甩胶法或浸入法将碳纳米管组装在基底上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造