[发明专利]非易失性半导体存储器件

权利要求书

1．一种非易失性半导体存储器件，其中包括：一个非易失性半导体存储单元阵列，用于在监视到所述存储器单元阵列的一个存储器单元的写单元电流同时执行阈值校准，而实现写操作的写电流检测类型写装置，用于在监视所述存储器单元的当前电流的同时执行存储器单元的阈值校准的读出放大器，以及用于在由所述写电流检测类型写装置的校准与所述用于读的读出放大器的校准之间切换的控制装置。

2．根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于所述写电流检测类型写装置包括：基于一个写电压用于为所述存储器单元产生与提供所述写电流的装置，和用于比较所述写单元电流和一个第一预定参考值的第一比较器，并且所述控制装置在通过所述第一比较器装置所进行的检测结果为一致时，由所述写电流检测类型装置重复所述写操作和由所述用于读的读出放大器装置进行所述阈值校准而执行写入操作。

3．根据权利要求2所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于所述读出放大器具有一个用于比较所述存储器单元的所述当前电流与第二预定参考值的第二比较器装置，并且所述控制装置在由所述写电流检测类型装置重复地执行所述写操作和由所述用于读的读出放大器装置所述校准来执行写时，响应所述读出放大器装置的所述第二比较器装置的一致的检测结果而结束所述写操作。

4．根据权利要求3所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于所述第二参考值被设置小于所述第一参考值。

5．一种非易失性半导体存储器件包括，一个能够执行多级写与读的非易失性半导体存储器单元阵列，用于执行写到所述存储器单元阵列的一个存储器单元的写装置，用于执行存储器单元的阈值校准同时监视所述存储器单元的当前电流的用于读的读出放大器，以及控制装置，它用于通过所述写装置重复写和一个用于读的所述读出放大器的校准操作来控制以致写至少所述多级输出的某个值，然后通过所述写装置写入其余的除了所述多级的所述某个值之外的数值。

6．根据权利要求5所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于所述读出放大器装置具有一个用于比较一个读出单元电流与对应于所述某个值的参考值的比较器装置，以及所述控制装置根据所述比较器装置的一致检测结果，控制使得写入除了所述某个值之外的所述其余值。

7．根据权利要求6所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于所述写装置包括用于基于一个写电压为所述存储器单元产生与提供一个单元电流的单元电流提供装置，和用于比较单元电流与一个对应于除了所述某个数值之外的所述其余值的的预定参考值的比较器装置，并且所述控制装置使所述单元电流提供装置和所述比较器装置在写入所述某个数值之外的所述其余值时进行运作。