[发明专利]具有导线插头的半导体器件及其生产方法无效
申请号: | 99103261.6 | 申请日: | 1999-03-29 |
公开(公告)号: | CN1230790A | 公开(公告)日: | 1999-10-06 |
发明(设计)人: | 堀场信一 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 导线 插头 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于包含:
(a)在半导体基片上由一层直接形成或间接形成的第一介电层;
(b)在所述第一介电层上形成的第一被加工图形的导电层;
(c)在所述第一被加工图形的导电层上形成的第二被加工图形的介电层:
所述第二被加工图形的介电层具有与所述第一被加工图形的导电层基本相同的平面形状;
(d)形成在所述第一介电层上的第三介电层,所述第三介电层作为覆盖整个所述第一被加工图形的导电层和部分覆盖所述第二被加工图形的介电层的层间绝缘层;部分所述被加工图形的第二介电层从所述第三介电层露出;
(e)在所述第三介电层上形成第四被加工图形的介电层;所述第四被加工图形的介电层作为从所述第三介电层露出的部分所述第二介电层的侧壁隔离层;
(f)在所述第三介电层上形成第五介电层;所述第五介电层作为覆盖从所述第三介电层和所述第四介电层露出的部分所述第二介电层的层间介电层;
(g)形成接孔,至少穿过所述第五和所述第三介电层;
(h)导电插头被填充进所述接孔;
(i)在所述五介电层上形成第二导电层;所述第二导电层与所述导电插头相接触;
(j)所述导电插头通过所述接孔中的所述第三介电层与所述第一被加工图形的导电层电绝缘;及
(k)所述第二导电层通过所述导电插头与所述基片的一区域或位于所述基片和所述第一介电层间的导电层电连接。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于所述第二被加工图形的介电层由氮化硅制成。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于所述第二介电层具有双层的结构,其包含氮化硅子层和二氧化硅子层;
其中所述二氧化硅子层位于所述氮化硅子层和所述第一被加工图形的导电层之间。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于所述第四介电层由氮化硅制成。
5.一种半导体器件的生产方法,其特征在于包含如下步骤:
(a)在半导体基片上由一层直接形成或间接形成包含第一介电层的结构;在所述第一介电层上形成第一被加工图形的导电层;在所述第一被加工图形的导电层上形成第二被加工图形的介电层;所述第二被加工图形的介电层具有与所述第一被加工图形的导电层基本相同的平面形状;
(b)在所述第一介电层上形成第三介电层,所述第三介电层作为覆盖整个所述第一被加工图形的导电层和部分覆盖所述第二被加工图形的介电层的层间绝缘层;部分所述被加工图形的第二介电层从所述第三介电层露出;
(c)在所述第三介电层上形成第四介电层;所述第四被加工图形的介电层盖住从所述第三介电层露出的部分所述第二介电层;
(d)加工所述第四介电层,对从所述第三介电层露出的部分所述第二被加工图形的介电层形成侧壁隔离层。
(e)在所述第三介电层上形成第五介电层;所述第五介电层作为覆盖从所述第三介电层和所述第四介电层露出的部分第二介电层的层间介电层;
(f)形成接孔,至少穿过所述第五和所述第三介电层;
(g)导电插头被填充进所述接孔;所述插头与位于所述基片的一区域或所述基片和所述第一介电层之间的导电层相接触,所述插头通过接孔中的所述第三介电层与所述第一被加工图形的导电层电绝缘;
(h)在所述第五介电层上形成第二导电层;所述第二导电层与所述导电插头相接触;所述第二导电层与位于所述基片和所述第一介电层间的基片或导电层的区域通过所述导电插头电连接。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于所述第二介电层由氮化硅制成。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于所述第二介电层具有双层的结构,其包含氮化硅子层和二氧化硅子层;
其中所述二氧化硅子层位于所述氮化硅子层和所述第一导电层之间。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于所述第四介电层由氮化硅制成。
9.根据权利要求5所述的方法,其特征在于所述用于形成所述第三介电层的步骤(b)包含:
第一子步骤(b-1)用于在所述第一介电层上形成基质介电层,以整个的覆盖所述第一被加工图形的导电层和所述第三介电层;
第二子步骤(b-2),用于平整化所述基质介电层的表面;
及第三子步骤(b-3),用于深蚀所述基质介电层的被平整化的表面,以便至少露出所述第二被加工图形的介电层的一部分。
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