[发明专利]利用氧来抑制和修复氢退化的制造铁电集成电路的方法

权利要求书

1、一种制造集成电路的方法，包括以下步骤：

形成包括金属氧化物材料薄膜的集成电路部分；进行氧复原退火，其特征在于，所述的氧复原退火是在300-1000℃的温度下、在含氧气的气氛中进行20分钟到2小时。

2、根据权利要求1的方法，其中所述形成集成电路部分的步骤包括：提供衬底(120)和一种形成所述金属氧化材料的前体；将所述前体涂敷到所述衬底(120)上；并处理所述前体，以形成所述金属氧化物材料的所述薄膜(122)。

3、根据权利要求2的方法，其特征还在于，所述前体用于形成层状超晶格材料。

4、根据权利要求3的方法，其特征还在于，所述前体含摩尔比大概相当于化学计量分子式SrBi_2.18Ta_2-xNb_xO₉的化学元素锶、铋、钽和铌，其中0≤x≤2。

5、根据权利要求4的方法，其特征还在于，所述前体中存在的铌和钽的摩尔比，Nb/Ta，约为0.4。

6、根据权利要求4的方法，其特征还在于，所述前体含有相对摩尔比大致相当于分子式SrBi_2.18Ta_1.44Nb_0.56O₉的元素锶、铋、钽和铌。

7、根据权利要求3的方法，其特征还在于，所述前体含相当于大于所述层状超晶格材料的平衡的化学计量分子式表示的量的0％-40％的过量B位元素。

8、根据权利要求3的方法，其特征还在于，所述前体含相当于大于所述层状超晶格材料的平衡的化学计量分子式表示的量的0％-40％的过量超晶格产生元素。

9、根据权利要求1、2、3、4、5、6、7或8的方法，其特征还在于，在小于350℃的温度下，在含氢气氛中，进行不超过30分钟的加热所述集成电路部分的步骤，其中所述氢占所述气氛体积的0.01-50％，并且由此所述加热步骤在进行所述氧复原退火步骤前进行。

10、根据权利要求9的方法，其特征还在于，在含氢气氛中加热的步骤之前，进行在所述金属氧化物材料的所述薄膜(122)的至少一部分上直接形成氢阻挡层(126)的步骤。