[发明专利]半导体器件和设计方法及该方法的记录介质和支持系统无效
申请号: | 99104839.3 | 申请日: | 1999-04-07 |
公开(公告)号: | CN1231513A | 公开(公告)日: | 1999-10-13 |
发明(设计)人: | 石仓聪 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/82 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 设计 方法 记录 介质 支持系统 | ||
1、一种半导体器件,通过组合和布置预先登记的功能块并根据所给的逻辑电路说明确定布线图形来形成,所述半导体器件包括:
至少包括具有与第一功能块的输入管脚连接的第一导电类型扩散层和与第二电源连接的第二导电类型阱的第一导电类型二极管,和具有与该输入管脚连接的第二导电类型扩散层和与第一电源连接的第一导电类型阱的第二导电类型二极管之一的第一功能块;
包括与第一功能块相同的逻辑和相同的驱动能力但不含有所述第一或第二导电类型二极管的第二功能块,
其中,当天线比是引到栅极的布线导体的面积和栅极的面积之间的比时,根据引到输入管脚和栅极的布线导体是否是超过所述半导体器件中可容许的天线比的天线比,而选择使用第一功能块或第二功能块。
2、一种半导体器件,通过组合和布置预先登记的功能块并根据所给的逻辑电路说明确定布线图形来形成,所述半导体器件包括:
中继器功能块,其每个包括:
缓冲器和反相器中的至少一个;和
具有与缓冲器或反相器的输入管脚连接的第一导电类型扩散层和与第二电源连接的第二导电类型阱的第一导电类型二极管,和包括与该输入管脚连接的第二导电类型扩散层和与第一电源连接的第一导电类型阱的第二导电类型二极管;
其中,当天线比是引到栅极的布线导体的面积和栅极的面积之间的比时,如果在所述半导体器件中引到栅极的布线导体是超过所述半导体器件中可容许的天线比,至少一个中继器功能块被插入该布线导体的任意一点。
3、根据权利要求2的半导体器件,其特征在于中继器功能块包括串联的两个缓冲器或反相器。
4、根据权利要求3的半导体器件,其特征在于包含在中继器功能块中的两个缓冲器或反相器中输出端的一个具有比输入缓冲器或反相器大的驱动能力。
5、一种半导体器件,通过组合和布置预先登记的功能块并根据所给的逻辑电路说明确定布线图形来形成,
其中,功能块不用的输入管脚经过包含第一导电类型扩散层和第一导电类型阱的衬底接触或包含第二导电类型扩散层和第二导电类型阱的衬底接触引到第一或第二电源。
6、一种半导体器件,通过组合和布置预先登记的功能块并根据所给的逻辑电路说明确定在多个布线层上分布的布线图形来形成,
其中,当引到栅极的布线导体的面积和栅极的面积之间的比被假设是天线比时,限定引到每个布线层中的栅极的每个布线导体的面积或布线长度,使得该布线导体的天线比小于所述半导体器件中基本容许的天线比的一半,并且被分割成至少三部分。
7、一种半导体器件,通过组合和布置预先登记的功能块并根据所给的逻辑电路说明确定在第一布线层到第n布线层的多个布线层上分布的布线图形来形成,其中n是任意正整数,
其中,当天线比是引到栅极的布线导体的面积和栅极面积之间的比时,如果所述半导体器件中引到栅极并在第i布线层中具有长布线的布线导体的天线比超过所述半导体器件中可容许的天线比,第i布线层中的长布线在栅极附近被切割,把第i布线层中从栅极到切割点的短布线导体和切割点前面的第i布线层中的长布线导体通过长度至少为第i布线层上顶层的第j布线层(i<j≤n)中两栅格长的桥布线导体连接来形成布线导体,其中一个栅格容许布置一个布线导体的最小宽度。
8、一种半导体器件设计方法,用于通过组合和布置预先登记的功能块并根据所给逻辑电路说明确定布线图形形成半导体器件,所述设计方法包括:
预先登记第一功能块和第二功能块的登记步骤,其中第一功能块具有包括与该功能块的输入管脚连接的第一导电类型扩散层和与第二电源连接的第二导电类型阱的第一导电类型二极管,或包括与该输入管脚连接的第二导电类型扩散层和与第一电源连接的第一导电类型阱的第二导电类型二极管,第二功能块具有与第一功能块相同的逻辑和相同的驱动能力但不含有第一或第二导电类型二极管;
当天线比是引到栅极的布线导体的面积和栅极的面积之间的比时,确定引到输入管脚和栅极的布线导体是否超过所述半导体器件中可容许的天线比的确定步骤;和
如果所述确定步骤确定输入管脚引到了超过所述天线比的栅极,选择使用第一功能块的选择步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的