[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括以下工序：

在半导体衬底上形成能生成酸的第一抗蚀剂构成的第一抗蚀剂图形；

在上述第一抗蚀剂图形上形成由于酸的存在而引起交联反应的第二抗蚀剂膜；

通过来自上述第一抗蚀剂图形的酸的供给，在上述第二抗蚀剂膜与上述第一抗蚀剂图形连接的部分形成交联膜；

剥离上述第二抗蚀剂膜的非交联部分，在上述第一抗蚀剂图形上形成被覆了上述交联膜的第二抗蚀剂图形；

通过加热处理，使上述交联膜回流，缩小上述第二抗蚀剂图形相互之间的间隔；以及

将在其上使上述交联膜回流的上述第二抗蚀剂图形作为掩模，刻蚀上述半导体衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：在上述加热处理工序和上述刻蚀工序之间包括这样的工序，即，利用纯水或纯水和有机溶剂的混合溶剂，清洗被覆了上述交联膜的上述第二抗蚀剂图形，将不与上述第一抗蚀剂图形连接的部分上的残渣除去的工序。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：在120℃～126℃的温度和50秒～150秒的时间内进行上述加热处理。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：在123℃～125℃的温度和50秒～100秒的时间内进行上述加热处理。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：通过上述加热处理，使上述交联膜回流，将被覆了上述交联膜的上述第一抗蚀剂图形相互之间的间隔缩小到0.1μm以下。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括以下工序：

在半导体衬底上形成能生成酸的第一抗蚀剂构成的第一抗蚀剂图形；

在上述第一抗蚀剂图形上形成由于酸的存在而引起交联反应的第二抗蚀剂膜；

通过来自上述第一抗蚀剂图形的酸的供给，在上述第二抗蚀剂膜与上述第一抗蚀剂图形连接的部分形成交联膜；

剥离上述第二抗蚀剂膜的非交联部分，在上述第一抗蚀剂图形上形成被覆了上述交联膜的第二抗蚀剂图形；

通过加热处理，使上述交联膜不溶于纯水或纯水和有机溶剂的混合溶剂中；

利用纯水或纯水和有机溶剂的混合溶剂，清洗上述第二抗蚀剂图形，将不与上述第一抗蚀剂图形连接的部分上的残渣除去；以及

将除去了上述残渣的上述第二抗蚀剂图形作为掩模，刻蚀上述半导体衬底。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：在115℃～140℃的温度和50秒～150秒的时间内进行上述加热处理。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：上述第一抗蚀剂采用以酚醛清漆树脂和叠氮萘醌系列感光剂的混合物为主要成分的抗蚀剂。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：上述第一抗蚀剂采用具有产生酸的机理的化学放大型抗蚀剂。

10.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：上述第二抗蚀剂采用以一种水溶性树脂、或两种以上的上述水溶性树脂的混合物、或由两种以上的上述水溶性树脂构成的共聚物为主要成分，且由于酸的存在而发生交联反应的形成精细图形的材料。

11.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：上述第二抗蚀剂采用以一种水溶性交联剂或两种以上的上述水溶性交联剂的混合物为主要成分，且由于酸的存在而发生交联反应的形成精细图形的材料。

12.一种半导体器件，其特征在于：它是采用权利要求1～11中的任一项所述的半导体器件的制造方法制造的。