[发明专利]有机场致发光元件

权利要求书

1．一种有机场致发光元件，其特征在于在具有至少将阳极层、发光区、电子注入区及阴极层顺次层叠结构的有机场致发光元件中，上述电子注入区含有不含氮原子的芳环化合物和还原性掺杂剂，且该电子注入区的电子亲和力值在1.8-3.6eV范围内。

2．按权利要求1所述的有机场致发光元件，其特征在于上述电子注入区的玻璃化温度值在100℃以上。

3．按权利要求1或2所述的有机场致发光元件，其特征在于上述芳环化合物含有从蒽、芴、苝、芘、菲、、四氢蒽、红荧烯、联三苯、联四苯、联六苯及三邻亚苯中选择的至少一种芳环所形成的基团。

4．按权利要求1～3任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于上述芳环化合物含有从苯乙烯基取代的芳环、二苯乙烯基取代的芳环及三苯乙烯基取代的芳环中选择的至少一种芳环所形成的基团。

5．按权利要求1～4任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于上述还原性掺杂剂是从碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属氧化物、碱金属卤化物、碱土金属氧化物、碱土金属卤化物、稀土金属氧化物或稀土金属卤化物中选择的至少一种物质。

6．按权利要求1～5任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于还原性掺杂剂的功函数值在3.0eV以下。

7．按权利要求1～6任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于还原性掺杂剂是从Li、Na、K、Rb及Cs中选择的至少一种碱金属。

8．按权利要求1～7任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于上述电子注入区的能隙禁带宽度值在2.7eV以上。

9．按权利要求1～8任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于上述芳环化合物和还原性掺杂剂的添加比例值在1∶20～20∶1(摩尔比)范围内。

10．按权利要求1～9任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于在上述发光区和上述电子注入区中，含有同一种类的不含氮原子的芳环化合物。

11．按权利要求1～10任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于在上述阴极层和上述电子注入区之间及上述阳极层和上述发光区之间，或在任一方设置界面层。

12．一种有机场致发光元件，其特征在于在具有至少将阳极层、发光区、电子注入区及阴极层依次层叠结构的有机场致发光元件中，上述电子注入区含有电子传递性化合物和功函数2.9eV以下的还原性掺杂剂，且该电子注入区的电子亲和力值在1.8-3.6eV范围内。

13．按权利要求12所述的有机场致发光元件，其特征在于上述还原性掺杂剂是从Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr及Ba中选择的至少一种碱金属或碱土金属。

14．按权利要求12或13所述的有机场致发光元件，其特征在于上述电子传递性化合物含有含氮杂环化合物。

15．按权利要求14所述的有机场致发光元件，其特征在于上述含氮杂环化合物是从含氮络合物、喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物及三唑衍生物中选择的至少一种化合物。

16．按权利要求12～15任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于上述电子传递性化合物和还原性掺杂剂的添加比例值在1∶20～20∶1(摩尔比)范围内。

17．按权利要求12～16任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于上述电子注入区的玻璃化温度值在100℃以上。

18．按权利要求12～17任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于上述发光区和上述电子注入区中含有同一种类的电子传递性化合物。

19．按权利要求12～18任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于在上述阴极层和上述电子注入区之间及上述阳极层和上述发光区之间，或在任一方设置界面层。