[发明专利]介电陶瓷和使用它的电容器有效

专利信息
申请号: 99104909.8 申请日: 1999-03-31
公开(公告)号: CN1236961A 公开(公告)日: 1999-12-01
发明(设计)人: 佐野晴信;原田和宏;山冈修;小林真一;江角俊也;影山善隆 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 陈亮
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 使用 电容器
【权利要求书】:

1.一种在高压蒸气放电灯的外泡内使用的脉冲发生电容器,其特征在于所述电容器包含由非线性介电陶瓷制成的介质零件,它显现出抗还原性。

2.如权利要求1所述的脉冲发生电容器,其特征在于显现出抗还原性的非线性介电陶瓷包括多晶材料,该材料包含钛酸钡作为主要成份,并且多晶材料表示为下述配方:

(1-a-b)ABO3+aM+bR

其中ABO3是钛酸钡成份,并表现出钙钛矿结构,M是由Mn、Ni和Co组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,R是从由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,并且a和b表示摩尔分数,

A、B、a和b满足下面的关系:

1.000≤A/B≤1.006(摩尔比)

0.3≤b/a≤3

0.0015≤a≤0.0050和

0.0015≤b≤0.0050

由Ad表示的M和R的总含量满足:

0.3<Ad≤1.0(wt.%)。

3.如权利要求1所述脉冲发生电容器,其特征在于表现出抗还原性的非线性介电陶瓷包含多晶材料,该材料含有钛酸钡作为主要成份,并且所述多晶材料表示为下述配方

(1-a-b)ABO3+aM+bR

其中ABO3是钛酸钡成份,并表现出钙钛矿结构,M是从由Mn、Ni和Co组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,R是从由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,并且a和b表示摩尔分数,

A、B、a和b满足下面的关系:

1.000≤A/B≤1.006(摩尔比)

0.3≤b/a≤3

0.0015≤a≤0.0050和

0.0015≤b≤0.0050

由Ad表示的M和R的总的含量满足:

0.3<Ad≤1.0(wt.%),并且

所述非线性介电陶瓷还包括含有Si作为主要成份的氧化物,对100份重量的多晶材料,所述氧化物有0.005-0.1份。

4.如权利要求2或3所述的脉冲发生电容器,其特征在于当所述ABO3(表示为{(Ba1-x-y-zSrxCayMgz)O}m(Ti1-0-pZr0Hfp)O2)时,x、y、z、o、p和m满足下面的关系:

0≤x≤0.05

0≤y≤0.02

0≤z≤0.005

0.0035≤o+p≤0.12

(只要0≤o≤0.12和0≤p≤0.12)和

1.000≤m≤1.006。

5.一种介电陶瓷,包含多晶材料,所述材料含有钛酸钡作为主要成份,所述多晶材料表示为下面的配方:

(1-a-b)ABO3+aM+bR

其中ABO3是钛酸钡成份,并表现出钙钛矿结构,M是从由Mn、Ni和Co组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,R是从由La、Ce、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、和Yb组成的组中选出的至少一种元素的氧化物,并且a和b表示摩尔分数,

A、B、a和b满足下面的关系:

1.000≤A/B≤1.006(摩尔比)

0.3≤b/a≤3

0.0015≤a≤0.0050和

0.0015≤b≤0.0050

由Ad表示的M和R的总的含量满足:

0.3<Ad≤1.0(wt.%)。

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