[发明专利]低温回流介电－氟化硼磷硅玻璃

权利要求书

1.一种在低压化学汽相淀积室中，在半导体晶片上制作掺氟的硼磷硅玻璃(F-BPSG)的方法，它包含下列步骤：

在低压化学汽相淀积室中，于大约650-850℃的温度和大约0.5-5乇的压力下，混合并反应由TEOS、氟烷氧基硅烷、硼和磷掺杂剂以及氧源组成的气态源；

在反应室中淀积的半导体衬底上，淀积掺氟的BPSG层；以及

在低于大约800℃的温度下，使层叠的半导体器件回流一段有效的时间以整平淀积的层。

2.权利要求1的方法，其中氟烷氧基硅烷对原硅酸四乙酯的重量比约为0.25∶1-3∶1。

3.权利要求2的方法，其中氟烷氧基硅烷是氟三乙氧基硅烷。

4.权利要求3的方法，其中反应温度约为720-780℃，而压力约为1-3乇。

5.权利要求4的方法，其中硼源是硼酸三乙酯或硼酸三甲酯，而磷源是磷化氢。

6.权利要求1的方法，其中二个分立的气态注入流被混合并反应，第一流含有磷源、氧和载气，而第二流含有硼源、原硅酸四乙酯、含氟的烷氧基硅烷、氧和载气。

7.权利要求6的方法，其中硼源是硼酸三乙酯或硼酸三甲酯，而磷源是磷化氢。

8.一种用权利要求1的方法制得的掺氟的硼磷硅玻璃涂敷的半导体晶片。

9.一种用权利要求6的方法制得的掺氟硼磷硅玻璃涂敷的半导体晶片。

10.一种用来在半导体晶片上制作掺氟的硼磷硅玻璃的装置，它包含：

低压圆形化学汽相淀积室，它具有气体入口装置、用来将晶片支持在反应室中的支持装置、和用来旋转衬底支持装置的装置；

用来将由原硅酸四乙酯、含氟的烷氧基硅烷、硼和磷掺杂剂、以及氧源馈送到入口装置的装置；且

其中气体在反应室中反应，并在晶片上淀积掺氟的硼磷硅玻璃层。

11.权利要求10的装置，其中反应室具有多个入口装置，二个气态流被引入不同的入口装置，第一流含有磷源、氧和载气，而第二流含有硼源、原硅酸四乙酯、含氟的烷氧基硅烷、氧和载气。

12.权利要求11的装置，其中含氟的烷氧基硅烷是乙氧基硅烷，硼源是硼酸三乙酯或硼酸三甲酯，而磷源是磷化氢。

13.权利要求12的装置，其中含氟的烷氧基硅烷是氟三乙氧基硅烷。