[发明专利]耿氏二极管、非辐射性介质波导耿氏振荡器及其制造方法和其安装结构

权利要求书

1．一种在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层及第2半导体层的耿氏二极管，其特征在于具有：

配置在所述第2半导体层之上、对所述活化层施加电压用的第1、第2电极，

以及，从该第1电极周围起向着所述第2半导体层和所述活化层切入、将所述第1电极连接的所述第2半导体层和所述活化层作为起耿氏二极管功能的区域划分出来的凹部。

2．根据权利要求1所述的耿氏二极管，其特征在于，在所述凹部内设有使所述第2电极与所述第1半导体层之间短路的导电性膜。

3．根据权利要求1或2所述的耿氏二极管，其特征在于，所述第1、第2电极由基底电极层和与该基底电极层连续且上表面形成为大致相同高度的导电性凸起部构成。

4．根据权利要求1、2或3所述的耿氏二极管，其特征在于，所述第1电极的所述导电性凸起部形成在大致中央部分，在其两侧形成所述第2电极的所述导电性凸起部。

5．根据权利要求1、2、3或4所述的耿氏二极管，其特征在于，将所述第1电极的面积设定为所述第2电极面积的1/10以下。

6．根据权利要求1、2、3、4或5所述的耿氏二极管，其特征在于，形成有2个以上所述第1电极和从所述第1电极周围切入的所述凹部。

7．根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的耿氏二极管，其特征在于，所述半导体基板、所述第1半导体层、所述活化层及所述第2半导体层由砷化镓、磷化铟等的化合物半导体构成。

8．根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的耿氏二极管，其特征在于，将与所述第2电极连续的所述第2半导体层和所述活化层置换成单一的半导体层或导体层。

9．根据权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的耿氏二极管，其特征在于，在所述半导体基板的背面设置第3电极，将该第3电极和所述第1电极用于对所述活化层施加电压，将所述第2电极代用作垫片。

10．一种耿氏二极管制造方法，包括：

在半导体基板之上依次层叠形成作为第1接触层的第1半导体层、活化层及作为第2接触层的第2半导体层的第1工序；

在所述第2接触层上形成一定形状的第1和第2电极的第2工序；

将所述第1和第2电极作为掩模进行干法刻蚀，来除去所述第2半导体层和活化层的第3工序。

11．根据权利要求10所述的耿氏二极管制造方法，其特征在于，所述第2工序还包括在形成一定形状的所述第1和第2电极用的基底电极层之后，再在该基底电极层上形成基本相同高度的导电性凸起部的工序。

12．根据权利要求10或11所述的耿氏二极管制造方法，其特征在于，所述半导体基板、所述第1半导体层、所述活化层及所述第2半导体层由砷化镓、磷化铟等的化合物半导体构成。

13．一种耿氏二极管安装结构，其特征在于，在半绝缘性的平板基板表面形成有信号电极而在背面形成有接地电极的微带线的该表面，形成从所述背面的接地电极起经V形孔连接的表面接地电极，

在所述信号电极和所述表面接地电极上分别连接安装权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的耿氏二极管的第1、第2电极。

14．一种耿氏二极管安装结构，其特征在于，在半绝缘性的平板基板表面形成有信号电极和一对接地电极的共面线路的该信号电极和该接地电极上，分别连接安装权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的耿氏二极管的第1和第2电极。

15．根据权利要求13或14所述的耿氏二极管安装结构，其特征在于，所述信号电极的一端从与所述耿氏二极管的第1电极连接的部位起长度L呈开放状态，使该长度L的第1电极部分作为谐振器起作用，由该长度L决定振荡频率。

16．一种耿氏二极管安装结构，其特征在于，在绝缘性基板构成的散热片上形成第4、第5电极，将所述权利要求9记载的所述耿氏二极管的第1电极直接连接安装在所述散热片的第4电极上，将所述耿氏二极管的第2电极直接连接安装在所述散热片的第5电极上。