[发明专利]使用磁性材料的元件及其编址方法

权利要求书

1．一种磁化控制方法，包括：

利用含有磁性材料和半导体材料的复合材料的隔离区域分隔铁磁性材料的磁化区域；

对所述隔离区域外加激励，改变分隔的磁化区域之间的磁交互作用，从而控制一个或多个分隔的磁化区域的磁化。

2．根据权利要求1的磁化控制方法，其中，利用电激励、光照或温度控制之一，对所述隔离区域施加所述激励。

3．根据权利要求1的磁化控制方法，其中，半导体材料用做隔离区域所用的复合材料。

4．根据权利要求1的磁化控制方法，其中，在半导体中分散铁磁性颗粒获得的介质用做隔离区域所用的复合材料。

5．根据权利要求1的磁化控制方法，其中，在磁性半导体中分散铁磁性颗粒获得的介质用做隔离区域所用的复合材料。

6．根据权利要求1的磁化控制方法，其中，层叠铁磁性膜和半导体膜在一起获得的多层膜用做所述隔离区域所用的复合材料。

7．根据权利要求1的磁化控制方法，其中，层叠铁磁性膜和磁性半导体膜在一起获得的多层膜用做所述隔离区域所用的复合材料。

8．根据权利要求1的磁化控制方法，其中，隔离区域的厚度不小于10nm。

9．一种磁化控制方法，包括：

利用厚度不小于10nm的隔离区域分隔铁磁性材料的磁化区域；

对所述隔离区域外加激励，改变分隔的磁化区域之间的磁交互作用，从而控制一个或多个分隔的磁化区域的磁化。

10．根据权利要求9的磁化控制方法，其中，包含磁性材料和半导体材料的复合材料用做隔离区域。

11．一种信息记录方法，包括：

用含有磁性材料和半导体材料的复合材料的隔离区域分隔铁磁性材料的磁化区域；

根据要记录的信息对所述隔离区域外加激励，改变分隔的磁化区域之间的磁交互作用，从而控制一个或多个分隔的磁化区域的磁化；

基于磁化区域的磁化方向进行二进制或以上的多值记录。

12．根据权利要求11的信息记录方法，其中，利用电激励、光照或温度控制之一，对所述隔离区域施加所述激励。

13．根据权利要求11的信息记录方法，其中，磁性半导体材料用做所述隔离区域所用的复合材料。

14．根据权利要求11的信息记录方法，其中，在半导体中分散铁磁性颗粒获得的介质用做隔离区域所用的复合材料。

15．根据权利要求11的信息记录方法，其中，在磁性半导体中分散铁磁性颗粒获得的介质用做隔离区域所用的复合材料。

16．根据权利要求11的信息记录方法，其中，层叠铁磁性膜和半导体膜在一起获得的多层膜用做所述隔离区域所用的复合材料。

17．根据权利要求11的信息记录方法，其中，层叠铁磁性膜和磁性半导体膜在一起获得的多层膜用做所述隔离区域所用的复合材料。

18．根据权利要求11的信息记录方法，其中，所述隔离区域的厚度不小于10nm。

19．一种信息记录方法，包括：

用厚度不小于10nm的隔离区域分隔铁磁性材料的磁化区域；

根据要记录的信息对所述隔离区域外加激励，改变分隔的磁化区域之间的磁交互作用，从而控制一个或多个分隔的磁化区域的磁化；

基于磁化区域的磁化方向进行二进制或以上的多值记录。

20．根据权利要求19的信息记录方法，其中，包含磁性材料和半导体材料的复合材料用做隔离区域。

21．一种信息记录元件，其具有的结构中，铁磁性材料的磁化区域被含有磁性材料和半导体材料的复合材料的隔离区域所分隔；其中，

根据要记录的信息对隔离区域外加激励，改变分隔的磁化区域之间的磁交互作用，控制一个或多个分隔的磁化区域的磁化；

基于磁化区域的磁化方向进行二进制以上的多值记录。

22．根据权利要求21的信息记录元件，其中，利用电激励、光照或温度控制之一，对所述隔离区域施加所述激励。