[发明专利]制造铁电集成电路的方法

权利要求书

1、一种制造集成电路的方法，包括以下步骤：

形成包括金属氧化物材料薄膜(122)的集成电路部分；在含氢的气氛中加热所述的集成电路部分，其特征在于，所述加热步骤在低于350℃的温度下进行。

2、根据权利要求1的方法，其特征还在于，所述加热步骤进行少于30分钟的时间。

3、根据权利要求2的方法，其特征还在于，所述氢占所述气氛体积的0.01-50％。

4、根据权利要求3的方法，其特征还在于，在所述加热步骤前，在所述金属氧化物材料薄膜的至少一部分上直接形成氢阻挡层(126)。

5、根据权利要求4的方法，其特征还在于，所述氢阻挡层(126)包括选自氮化钛和氮化硅组成的组中的氮化物。

6、根据权利要求1、2、3、4或5的方法，其中所述形成步骤包括提供衬底(120)和所述金属氧化物材料的前体液，在所衬底(120)上涂敷所述前体、并进行处理以形成所述金属氧化物材料，其特征还在于，所述提供前体液的步骤包括提供至少含有两种金属的用于铁电氧化物材料的前体，其中所述金属中的一种过量存在于所述的前体之中。

7、根据权利要求1、2、3、4或5的方法，其特征还在于，所述金属氧化物材料包括层状超晶格材料。

8、根据权利要求7的方法，其特征还在于，所述形成步骤还包括：提供衬底(120)及所述层状超晶格材料的前体；在所述衬底(120)上涂敷所述前体；处理所述前体，以形成所述的层状超晶格材料，其中，所述所前体含化学元素锶、铋和选自由钽和铌组成的组中的一种金属。

9、根据权利要求8的方法，其特征还在于，所述前体含有化学元素锶、铋、钽和铌，所述各元素的相对摩尔比大概相当于化学计量分子式SrBi_2.18Ta_2-xNb_xO₉，其中0≤x≤2。

10、根据权利要求8的方法，其特征还在于，所述前体含相当于比由分子式SrBi_2.18Ta_2-xNb_xO₉表示的元素的相对摩尔比多0％-40％的一种过量元素，其中0≤x≤2，并且，其中，所述元素选自由铋和铌组成的组。

11、一种制造集成电路的方法，包括以下步骤：形成含金属氧化物材料薄膜的所述集成电路的一部分，将所述集成电路的所述部分暴露于氢中；完成所述集成电路，以便在所述集成电路的部件中包括所述金属氧化物材料的所述薄膜；所述方法的特征在于，所述形成步骤包括形成具有过量B位元素的层状超晶格化合物。