[发明专利]模拟应用的调制器无效
| 申请号： | 99106521.2 | 申请日： | 1999-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1234637A | 公开（公告）日： | 1999-11-10 |
| 发明（设计）人： | 理查德·班迪克斯·拜尔斯玛;伦纳德·詹－彼得·凯特尔森;沙伦·凯·普兹 | 申请（专利权）人： | 朗迅科技公司 |
| 主分类号： | H01S3/085 | 分类号： | H01S3/085;H01S3/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模拟 应用 调制器 | ||
1．一种包括半导体材料波导区(14)的光调制器(13)，其特征是，波导区有带隙波长，它沿着一个选自通过调制器的光传播路径(Z)和垂直于该光传播路径的路径(X)的方向变化。
2．按照权利要求1的调制器，其中带隙波长是从在1.55-1.60μm范围内的最大值变化到在1.50-1.55μm范围内的最小值。
3．按照权利要求1的调制器，其中带隙波长至少变化20nm。
4．按照权利要求1的调制器，其中调制器显现出有斜率的传递函数，此斜率是在最大值与最小值之间的1-5dB/V范围内。
5．按照权利要求1的调制器，其中半导体材料包括InGaAsP。
6．一种包括在衬底(11)上形成激光器(12)和调制器(13)且包括半导体材料波导区(14)的电吸收调制激光器(10)，其特征是，规定调制器的波导区部分有带隙波长，它沿着一个选自通过调制器的光传播路径(Z)和垂直于该光传播波路径的路径(X)的方向变化。
7．按照权利要求6的激光器，其中带隙波长是从在1.55-1.60μm范围内的最大值变化到在1.50-1.55μm范围内的最小值。
8．按照权利要求6的激光器，其中带隙波长至少变化20nm。
9．按照权利要求6的激光器，其中调制器显现出有斜率的传递函数，此斜率是在最大值与最小值之间的1-5dB/V范围内。
10．按照权利要求6的激光器，其中半导体材料包括InGaAsP。
11．一种制成光调制器(13)的方法，包括有选择地在衬底上生长一层波导半导体材料(14)，其中掩模(30-33)用于确定生长的区域，其特征是，掩模的宽度(W＇)是沿着一个选自通过调制器的光传播路径(Z)和垂直于该光传播路径的路径(X)的方向变化。
12．按照权利要求11的方法，其中掩模的宽度的变化量至少为2μm。
13．按照权利要求11的方法，其中此层是用汽相淀积方法生成的。
14．按照权利要求11的方法，其中掩模包括二氧化硅。
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