[发明专利]基于深沟槽的动态随机存取存储器和制作方法

权利要求书

1.一种在半导体衬底上制作用于基于深沟槽的存储电容器的存储节点的方法，包括：

在半导体衬底表面内蚀刻沟槽；

在上述沟槽侧壁上形成介质层；

为了曝露所述侧壁的上部分的底层区域部分地去除所述介质层；

在所述侧壁的所述上部分上生长氧化物层；

从所述沟槽的所述侧壁去除所述介质的剩余部分；

掺杂以形成埋置电容器板；

为形成节点介质在至少下沟槽侧壁上形成沟槽介质；和

在所述沟槽内形成内部电极。

2.如权利要求1的方法，其特征在于在上述沟槽的上述侧壁上的所述介质层包括氮化硅。

3.如利要求1的方法，其特征在于上述内部电极包括掺杂硅。

4.如权利要求1的方法，方法包括通过硅的定位氧化在上述侧壁的上述上部分上生长所述氧化层。

5.如权利要求1的方法，其特征在于所述衬底包括硅。

6.如权利要求1的方法，其特征在于通过用砷掺杂继而加热使砷移动，形成所述埋置电容器板。

7.如权利要求1的方法，其特征在于在所述沟槽的下部分上所述介质包括氮化硅。

8.如权利要求1的方法，其特征在于所述侧壁的上部分约为0.8到1.微米。

9.如权利要求1的方法，其特征在于进一步包括：

蚀刻所述内部电极和所述颈环介质到搭接片深度，由此曝露在部分所述颈环侧壁上的搭接片连接表面和在所述内部电极顶部上的电极连接表面；

在所述搭接片连接表面和所述内部电极之间形成导电搭接片。

10.如权利要求9的方法，其特征在于所述导电搭接片包括掺杂多晶硅。

11.如权利要求1的方法用于制造DRAW。

12.通过权利要求1的工艺过程获得半导体结构。

13.一种半导体结构，其特征在于半导体衬底，它包括包括在所述衬底中开有构槽；位于邻接所述沟槽上部分的颈环氧化物；与所述颈环氧化物自对准的埋置电容器板；在所述沟槽内并延伸到所述沟槽顶部的介质层；和在所述沟槽内的内部电极。

14.如权利要求13的半导体结构，其特征在于在所述沟槽内的所述介质层包括氮化硅。

15.如权利要求13的半导体结构，其特征在于所述内部电极包括掺杂硅。

16.如权利要求13的半导体结构，其特征在于所述衬底包括硅。

17.如权利要求13的半导体结构，其特征在于所述埋置电容器板包括砷。

18.如权利要求13的半导体结构，其特征在于所述侧壁的上部分在半导体衬底顶表面下面约0.8到1.2微米。

19.权利要求13的半导体结构，其特征在于所述沟槽约为5到8微米深。

20.权利要求13的结构是DRAW。