[发明专利]双室离子束溅射淀积系统

权利要求书

1．一种双室淀积系统，包括：

第一离子束溅射(IBS)淀积室；

第二IBS淀积室；及

用于将衬底移到所说双室淀积系统内的晶片装卸室，所说晶片装卸室设置在所说第一和第二IBS淀积室之间，并与它们真空密封连接。

2．一种双室淀积系统，包括：

第一离子束溅射(IBS)淀积室；

第二IBS淀积室；及

用于将衬底移到所说双室淀积系统内的晶片装卸室，所说晶片装卸室设置在所说第一和第二IBS淀积室之间，并与它们真空密封连接，所说晶片装卸室包括：

真空室；

转台，其可旋转地固定于所说真空室的内表面上；

固定于所说转台上的线性传送器，所说线性传送器具有固定于未端、用于支撑所说衬底的衬底支架，所说衬底支架相对于所说转台的中心可径向运动；及

与所说真空室真空密封连接的第一存取室，用于向所说真空室送入多个衬底。

3．根据权利要求2的双室淀积系统，其中所说晶片装卸室还包括用于可旋转地对准所说衬底的晶片校准器，所说校准器设置于所说第一存取室和所说真空室之间。

4．根据权利要求2的双室淀积系统，其中所说晶片装卸室还包括与所说真空室真空密封连接的第二存取室，用于向所说真空室送入多个衬底。

5．一种用于淀积具有抗铁磁(AFM)层和金属层的双室淀积系统，所说双室淀积系统包括：

第一离子束溅射(IBS)淀积室，用于通过反应离子束溅射，在衬底上淀积所说AFM层；

第二IBS淀积室，用于在所说衬底上淀积金属层；及

用于将所说衬底移到所说双室淀积系统内的晶片装卸室，所说晶片装卸室设置在所说第一和第二IBS淀积室之间，并与它们真空密封连接，所说晶片装卸室包括：

真空室；

转台，其可旋转地固定于所说真空室的内表面上；

固定于所说转台上的线性传送器，所说线性传送器具有固定于未端、用于支撑所说衬底的衬底支架，所说衬底支架相对于所说转台的中心可径向运动；及

与所说真空室真空密封连接的第一存取室，用于向所说真空室送入多个衬底。

6．根据权利要求5的双室淀积系统，其中所说晶片装卸室还包括用于可旋转地对准所说衬底的晶片校准器，所说校准器设置于所说第一存取室和所说真空室之间。

7．根据权利要求5的双室淀积系统，其中所说晶片装卸室还包括与所说真空室真空密封连接的第二存取室，用于向所说真空室送入多个衬底。

8．一种在双室淀积系统中制造自旋阀(SV)磁阻传感器的工艺，所说系统包括第一IBS淀积室、第二IBS淀积室及晶片装卸室，所说工艺包括以下步骤：

a)在所说第一IBS淀积室中，在衬底上反应溅射淀积抗铁磁(AFM)层；

b)在真空条件下，将所说衬底从所说第一IBS淀积室移到所说第二IBS淀积室；及

c)在所说第二IBS淀积室中，在所说AFM层上溅射淀积第一铁磁层。

9．根据权利要求8的工艺，还包括在所说第二IBS淀积室中，在所说铁磁层上淀积一层非磁性导电材料层的步骤。

10．根据权利要求9的工艺，还包括在所说第二IBS淀积室中，在所说非磁性导电层上淀积第二铁磁层的步骤。

11．根据权利要求8的工艺，其中所说AFM层由NiO构成。