[发明专利]光记录介质及其制造方法

说明书

本发明涉及一种光记录介质及其制造方法，该光记录介质具有由可发生晶态和非晶态可逆相变的相变型材料形成的记录层的，且通过光束照射在该光记录介质上使记录层发生相变以记录和/或擦除信息信号。

近来，在数据记录领域对光记录系统的研究进步很快。在该光记录系统中，以与记录介质非接触的方式记录/重放信息信号，使得记录密度比磁记录系统高出约一位数。而且光记录系统还有许多优点，例如可以处理只读型、一次写入型或重写型的存储状态。因此，作为可廉价地实现大容量文件的记录系统，在从工业型到家庭型的设备中光记录系统都有广阔的应用前景。

在上述光记录系统中，磁光盘和相变型光盘可以处理重写型的存储状态。在磁光盘中，磁材料的记录层被部分地加热到居里温度或温度补偿点以减小记录层的磁矫顽力。从外部施加记录磁场以改变记录层的磁化方向从而磁性地记录或读出信息信号。在相变型光盘中，具有由可发生晶态和非晶态可逆相变的相变型材料形成的记录层，通过照射激光束等使记录层温度上升以记录或擦除信息。而且信息信号从光盘中光学地读出。

在用作该相变型光盘的相变型材料中，有所谓的硫族-基合金材料，如Ge-Te基合金、Ge-Te-Sb基合金、In-Sb-Te基合金或Ge-Sn-Te合金。

在日本专利特开昭62-3886、特开昭63-225934、特开平-3-80635和特开平-8-32482中，详述了Ge-Sb-Te基合金的组分比。而且，在日本专利特开平-4-232779和特开平-166268中也详述了Ag-In-Sb-Te基材料的组分比。

但是，上述相变型光盘在高线速度、高记录密度信号特性或记录寿命方面并非是最优的，还需要继续提高和变型光盘的性能。

因此，本发明的目的在于提供一种光记录介质，它具有足够的高线速度、高记录密度和记录寿命，还具有足够的记录/擦除性能和在重写型存储时的重复使用寿命。

一方面，本发明提供一种光记录介质，它具有由可发生晶态和非晶态可逆相变的相变型材料形成的记录层，且通过光束照射在该记录层上时引起该记录层上的相变，由此记录和/或擦除信息信号。该记录层包含作为相变型材料的Ag_αIn_βSb_γTe_δ，其中各组元的原子百分数α，β，γ，δ满足式6≤α≤16、1.1≤δ/β≤2.2以及2≤γ/δ≤3。

在根据本发明的光记录介质中，通过将构成记录层的相变型材料的成分如此设定，可以提高记录层的相变速度，从而即使在高线速度下也能满意地记录信息信号。

另一方面，本发明提供一种制造光记录介质的方法，该光记录介质具有可发生晶态和非晶态可逆相变的相变型材料形成的记录层，且当光束照射在该记录层上时引起该记录层上的相变，由此记录和/或擦除信息信号。该记录层以Ag_αIn_βSb_γTe_δ为靶材通过溅射形成；且其中各组元的原子百分数α，β，γ，δ满足式6≤α≤16、1.1≤δ/β≤2.2以及2≤γ/δ≤3。

在根据本发明的制造光记录介质的方法中，通过在形成由相变型材料构成记录层时采用上述成分的靶材，可以提高记录层的相变速度，从而即使在高线速度下也能满意地记录信息信号。

即，通过限定构成记录层的Ag_αIn_βSb_γTe_δ的成分中的组元比，可以实现即使在高线速度下也能满意地记录信息信号。

而且，在用溅射形成记录层时通过限定靶材Ag_αIn_βSb_γTe_δ的成分中的组元比，可以实现即使在高线速度下也能满意地记录信息信号。

图1是示出根据本发明的光盘的示意性结构的剖面图；

图2是用来评价光盘的信号不稳定性(jitter)的记录波形；

图3是记录线速度和不稳性数值的关系图。

下面，参照附图详述本发明的优选实施方案。

图1是示出根据本发明的光盘的示意性结构的剖面图。该光记录介质是相变型盘式光记录介质，下面称作光盘。该光盘1在其衬底2的一个主面2a上，依次具有第一介电层3、记录层4、第二介电层5、热扩散层6和保护层7。

衬底2由可传播激光的材料，如聚碳酸酯或玻璃构成。