[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1．一种在基板上形成薄膜晶体管的方法，具有通过如果是底部栅极式则在层间绝缘膜，如果是顶部栅极式则除此之外还要在栅极绝缘膜中形成的接触孔，把将成为沟道区域、源极区域、漏极区域的半导体薄膜、层间绝缘膜、栅极绝缘膜连接到半导体薄膜上的源极电极和漏极电极，其特征是：

具有非沟道区域增厚形成工序，用于把上述半导体薄膜的用来至少与源极电极和漏极电极连接的接触孔的形成区域形成得比沟道区域还厚。

2．权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是：上述非沟道区域增厚形成工序，是用多次成膜工序把上述半导体薄膜的至少与源极电极和漏极电极接连的区域形成得比其它部分厚的多次成膜工序。

3．一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是具有下述工序：

第1半导体薄膜形成工序，用于仅仅在与基板上边的源极电极和漏极电极对应的位置上形成第1半导体薄膜；

第2半导体薄膜形成工序，用于把上述所形成的第1半导体薄膜覆盖起来在薄膜晶体管的形成部分上选择性地形成第2半导体薄膜；

栅极绝缘膜形成工序，用于把上述所形成的第2半导体薄膜覆盖起来形成栅极绝缘膜；

栅极电极形成工序，用于在上述所形成的栅极绝缘膜的上部形成栅极电极；

层间绝缘膜形成工序，用于把上述所形成的栅极绝缘膜和栅极电极覆盖起来形成层间绝缘膜；

接触孔形成工序，用于在上述所形成的栅极绝缘膜和层间绝缘膜中与源极电极和漏极电极对应的位置处用干蚀法形成接触孔；

电极形成工序，用于在上述所形成的接触孔内形成连接到上述半导体薄膜上的源极电极、漏极电极。

4．一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是具有下述工序：

栅极电极形成工序，用于在基板上边的规定位置上形成栅极电极；

栅极绝缘膜形成工序，用于把上述所形成的栅极电极覆盖起来形成栅极绝缘膜；

第1半导体薄膜形成工序，用于仅仅在与基板上边或栅极绝缘膜上边的源极电极和漏极电极对应的位置上形成第1半导体薄膜；

第2半导体薄膜形成工序，用于把上述所形成的第1半导体薄膜覆盖起来，在薄膜晶体管形成部分上选择性地形成第2半导体薄膜；

层间绝缘膜形成工序，用于把上述所形成的第2半导体薄膜覆盖起来形成层间绝缘膜；

接触孔形成工序，用于在上述所形成的层间绝缘膜中与源极电极和漏极电极对应的位置处用干蚀法形成接触孔；

电极形成工序，用于在上述所形成的接触孔内形成连接到上述半导体薄膜上的源极电极、漏极电极。

5．一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是具有下述工序：

第1半导体薄膜形成工序，用于在基板上边的规定位置上形成第1半导体薄膜；

第2半导体薄膜形成工序，用于仅仅在与上述所形成的第1半导体薄膜上边的源极电极和漏极电极对应的位置上形成第2半导体薄膜；

栅极绝缘膜形成工序，用于把上述所形成的第1和第2半导体薄膜覆盖起来形成栅极绝缘膜；

栅极电极形成工序，用于在上述所形成的栅极绝缘膜的上部形成栅极电极；

层间绝缘膜形成工序，用于把上述所形成的栅极绝缘膜和栅极电极覆盖起来形成层间绝缘膜；

接触孔形成工序，用于在上述所形成的栅极绝缘膜和层间绝缘膜中与源极电极和漏极电极对应的位置处用干蚀法形成接触孔；

电极形成工序，用于在上述所形成的接触孔内形成连接到上述半导体薄膜上的源极电极、漏极电极。

6．一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是具有下述工序：

栅极电极形成工序，用于在基板上边的规定位置上形成栅极电极；

栅极绝缘膜形成工序，用于把上述所形成的栅极电极覆盖起来形成栅极绝缘膜；

第1半导体薄膜形成工序，用于把上述所形成的栅极电极覆盖起来形成第1半导体薄膜；

第2半导体薄膜形成工序，用于仅仅在与上述所形成的第1半导体薄膜上边的源极电极和漏极电极对应的位置上形成第2半导体薄膜；

层间绝缘膜形成工序，用于把上述所形成的第2半导体薄膜覆盖起来形成层间绝缘膜；

接触孔形成工序，用于在上述所形成的层间绝缘膜中与源极电极和漏极电极对应的位置处用干蚀法形成接触孔；

电极形成工序，用于在上述所形成的接触孔内形成连接到上述半导体薄膜上的源极电极、漏极电极。