[发明专利]一种制备单层碳纳米管的方法无效
申请号: | 99107865.9 | 申请日: | 1999-06-04 |
公开(公告)号: | CN1083800C | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
发明(设计)人: | 施祖进;顾镇南;廉永福;周锡煌 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04;B01J19/08 |
代理公司: | 北京华一君联专利事务所 | 代理人: | 周政 |
地址: | 100871 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 单层 纳米 方法 | ||
本发明涉及一种制备单层碳纳米管的方法。该方法是一种可以大量、高产率地合成单层碳纳米管的方法。
碳纳米管自1991年被发现以来,就成为富勒烯领域的重要组成部分,是物理学、化学和材料科学等学科中最前沿的研究领域之一。出于碳纳米管具有独特的结构,对其进行研究具有重大的理论意义和许多潜在的应用价值。Iijima等以及Bethune等(Nature,1993,363,603-605)用电弧蒸发含有催化剂的石墨电极时,在其所获得的烟炱中发现单层碳纳米管以来,已有许多关于合成单层碳纳米管的报道文献。Seraphin等以及Saito等(Appl.Phys.Lett.,1994,64:2087,Z.Phys.D,1997,40:421)用Fe/Ni为催化剂,通过直流电弧法合成了单层碳纳米管;Dai等(Chem.Phys.Lett.,1996,260:471)以MoOx为催化剂,用一氧化碳在高温下的化学气相沉积(CVD)法,合成了单层碳纳米管。用上述各种方法得到的产品中,单层碳纳米管的含量均很低。1996年后单层碳纳米管的合成产率有了显著的提高。Smalley等(Science,1996,273,483)用激光法获得~70%纯度的单层碳纳米管,Journet等(Nature,1997,388,756)利用含Y和Ni的石墨棒为阳极的直流电弧放电,在阴极沉积物的冠状物中得到高纯度的单层碳纳米管;Saito等(Chem.Phys.Lett.,1998,294:593)利用Rh/Pt为催化剂,通过直流电弧法合成了单层碳纳米管。上述方法制得的单层碳纳米管的纯度虽很高,但产量却甚低。
本发明的目的是针对上列方法的缺陷,提供一种能大量而又高产率地合成单层碳纳米管的方法。
本发明的制备单层碳纳米管的方法包括:
1.催化剂的制备:用电弧融炼法制备合金MNin,其中n=2或5,M选自Sc、Y、和镧系元素La~Lu中的任一种,Pm除外。或者选用碱土金属Ca、Sr或Ba,以通用的方法制成其碳化物,再将之与镍粉(150-200目)以摩尔混合比为,碱土金属∶镍=1∶0.5-2混合成二者的混合物;
2.石墨棒的制备:将光谱纯石墨粉与以上1中所述的催化剂粉末按摩尔比,石墨∶催化剂=100∶1.5-5混合,加入石墨粘结剂,调匀后,压制成φ6×150mm的石墨棒,于1000-1100℃惰性气氛中灼烧而成阳极石墨棒;以上述制石墨棒的同样方法,制成φ8mm光谱纯的石墨棒,用作阴极;;
3.单层碳纳米管的制备:以2中制得的阳极石墨棒为阳极,以光谱纯的石墨棒为阴极,在电流为40~60A和氦气压为600~1520mmHg的条件下,进行直流电弧放电,得到布状烟炱,其中单层碳纳米管的含量大于等于40%。
使用本发明方法,由石墨棒到烟炱的转化率为80%~90%,每天可生产布状烟炱20~30克。产物经扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(HREM)观察和拉曼光谱表征,其中单层碳纳米管的含量为40%~70%或更高。这些单层碳纳米管以单层碳纳米管束的形式存在,单层碳纳米管束的直径为20~30纳米,长度超过15微米(准确长度无法测定),其中含钙、含钇和含钡催化剂制得的单层碳纳米管,其直径分别为0.9-1.1纳米、1-1.4纳米和1.4-1.6纳米,含其它稀土元素的催化剂制得的单层碳纳米管的直径均为1.1-1.4纳米,长度与单层碳纳米管束接近。
本发明方法的优异特点和效果:
1.采用直流电弧法设备简单、生产成本低,且能达到大量生产的要求。
2.首次用易粉碎并在空气中较稳定的合金或金属碳化物为催化剂,使反应物均匀混合,得到了高产率的单层碳纳米管;
3.首次使用碱土金属碳化物为催化剂,获得了高产率的单层碳纳米管;
4.使用不同的催化剂,首次发现并获得不同直径分布的单层碳纳米管;
5.这种大量的、不同直径分布的单层碳纳米管的制备,为单层碳纳米管的电子学研究和应用研究打下了良好的基础。
附图简要说明:
图1.为用Y-Ni合金作催化剂制备的布状烟炱的扫描电子显微镜照片。
其中a显示烟炱的大部分表面,它含有大量的单层碳纳米管束,同时伴有碳纳米颗粒;
b显示很容易找到含有高密度、纯净单层碳纳米管束的区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/99107865.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。