[发明专利]环氧化二烯嵌段共聚物的羟基官能化衍生物及其制备方法无效

专利信息
申请号: 99108492.6 申请日: 1993-04-01
公开(公告)号: CN1244542A 公开(公告)日: 2000-02-16
发明(设计)人: R·C·贝宁;J·R·埃里克森;D·J·斯特克莱尔;C·J·吉布勒;J·J·弗洛里斯;C·J·思塔克 申请(专利权)人: 国际壳牌研究有限公司
主分类号: C08F299/00 分类号: C08F299/00;C09D153/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 唐伟杰
地址: 荷兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 氧化 二烯嵌段 共聚物 羟基 官能 衍生物 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种聚合物含有0.1~15毫克当量/克羟基的共轭二烯嵌段共聚物,该聚合物含有下式的羟基或

其中P为-OH、-Cl或-OR,R选自含有≤10个碳原子的烷基、一元和二元醇基和碳酸酯基;Q为-OH或Cl,条件是P和Q中至少一个为-OH;R1和R2为氢或烷基,条件是如果X为-OR,R1和R2中只有一个可为氢。

2.权利要求1的嵌段共聚物,其中P为-OR和Q为-OH。

3.权利要求2的聚合物,其中至少1/3的羟基是伯羟基,并作为醚基的一部分存在。

4.权利要求1-3中任何一项的嵌段共聚物,其中嵌段共聚物至多含75重量%的乙烯基芳烃。

5.权利要求1-3中任何一项的嵌段共聚物,其中羟基的数量为0.25~9毫克当量/克聚合物。

6.按照权利要求1-3中任何一项的共轭二烯嵌段聚合物,其中共轭二烯嵌段共聚物含有羟基,并有下式

Cq-Yp-(Bx-A)r

其中B为含有氢化的共轭二烯,如果需要也可含少量式(I)或(II)的醇单元的聚合物嵌段;A为含有比嵌段B浓度高的式(I)或(II)醇单元的聚合物嵌段;C与A或B相同,或是由丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯单体得到的聚合物嵌段;Y为偶合剂残基、引发剂残基或由偶合单体得到的聚合物嵌;r、q和p是整数,r>0,q≥0,r+q为1~100和p为0或1。

7.按照权利要求1-3中任何一项的共轭二烯嵌段聚合物,其中共轭二烯嵌段聚合物含有羟基,并有下式

Sz-A-Sz

其中S为单链烯基芳烃;z和z′为0或1;A为含如果需要也可氢化的聚合二烯单体和式(I)或(II)的醇单元无规分布的聚合物嵌段,共中醇单元存在的数量使聚合物中有0.1~15毫克当量的羟基/克聚合物。

8.按照权利要求1-3中任何一项的共轭二烯嵌段共聚物,其中共轭二烯是1,3-丁二烯或异戊二烯。

9.按照权利要求1-3中任何一项的共轭二烯嵌段共聚物,其中经过加氢使其中该共聚物含有小于1毫克当量残留烯烃/克聚合物。

10.权利要求1中的聚合物,其中聚合物与异氰酸酯交联。

11.权利要求1中的取合物,其中聚合物与氨基树脂交闻。

12.一种含有权利要求10或11的交联的聚合物和紫外线抑制剂的涂料组合物。

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