[发明专利]制造动态随机存取存储器单元电容器的方法

权利要求书

1.在半导体器件中制造电容器的方法，包括步骤：

在具有多个杂质扩散区的半导体衬底上形成底层，所述底层具有含有氮的顶层；

腐蚀所述底层的选中部分并形成多个通到所述杂质扩散区的开口；

在所述开口内和所述底层上淀积上导电层；

腐蚀所述上导电层和各个开口间的所述顶层的部分厚度，在所述导电极的各个侧壁上形成腐蚀副产品集结作为腐蚀阻挡层的同时形成多个导电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述上导电层包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述顶层从SiN和SiON中选择。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述顶层的厚度在约200埃到600埃的范围。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述上导电层的厚度在约8,000埃到12,000埃的范围。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述腐蚀所述上导电层的步骤包括干腐蚀。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述干腐蚀是在使用约20到50sccm的Cl₂、1到10sccm的SF₆和1到10sccm的N₂的混合物在约2到30mtorr的压力和约400至800W的源功率、约30至100W的偏置功率的条件下进行的。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述腐蚀副产品集结包括SiF_XN_Y。

9.在半导体器件中制造电容器的方法，包括步骤：

在具有包括源区、漏区和栅电极的晶体管的半导体衬底上形成多层绝缘层，所述多层绝缘层具有包括氮的顶层绝缘层；

腐蚀所述多层绝缘层并在其内开出通到所述漏区的接触孔；

用第一导电层填充所述接触孔以形成接触栓塞；

在所述多层绝缘层上和所述接触栓塞上淀积第二导电层；

腐蚀所述第二导电层和各个接触焊盘间的所述顶层绝缘层的部分厚度以在所述导电极的侧壁上形成腐蚀副产品集结作为腐蚀阻挡层的同时形成导电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述第一导电层包括多晶硅。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述第二导电层包括多晶硅。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述顶层绝缘层从SiN和SiON中选择。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述顶层绝缘层的厚度在约200埃到600埃之间。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述第二导电层的厚度在约8,000埃到12,000埃之间。

15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述腐蚀所述第二导电层的步骤包括干腐蚀。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于：所述干腐蚀是在使用约20到50sccm的Cl₂、1到10sccm的SF₆和1到10sccm的N₂的混合物在约2到30mtorr的压力和约400至800W的源功率、约30至100W的偏功率的条件下进行的。

17.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述腐蚀副产品集结包括SiF_XN_Y。