[发明专利]低压有源半导体体器件

权利要求书

1.一种有源FET体器件，它包含：具有栅的有源FET区；体区和位于所述有源FET区中的所述栅与所述体区之间的电连接，其中的电连接基本上在FET的整个宽度上延伸。

2.权利要求1的有源FET体器件，包含SOI衬底。

3.权利要求1的器件，其中所述栅与所述体区之间的所述连接自对准于栅的边沿。

4.权利要求2的器件，该器件是SOI DRAM阵列器件、逻辑器件或驱动器件。

5.权利要求1的有源FET体器件，其中金属硅化物和氧化硅结构位于所述栅的顶部，以作为所述栅的帽。

6.权利要求1的有源FET体器件，其中所述栅是掺杂的多晶硅。

7.权利要求1的有源FET体器件，其中电连接的长度约为200埃或更小。

8.权利要求1的有源FET体器件，其中电连接的长度约为100埃或更小。

9.一种有源FET体器件的制造工艺，此器件包含：具有栅的有源FET区；体区和位于所述有源区中的所述栅与所述体区之间的电连接，其中所述电连接基本上在整个宽度上延伸，此工艺包含：

提供包含半导体衬底、有源器件区和隔离区的结构；

在所述衬底上提供绝缘衬垫结构；

在所述衬垫结构中确定向下到所述衬底的窗口，用来决定以后的栅接触的形状；

提供氧化物牺牲层；

注入用来调整V_t的掺杂剂；

清除所述氧化物牺牲层并制作栅绝缘体层；

淀积掺杂的多晶硅层并腐蚀此掺杂的多晶硅层，以便在所述衬垫结构中所述窗口的侧壁上产生掺杂的多晶硅间隔；

淀积选自导电的扩散势垒材料、掺杂的非晶硅和掺杂的多晶硅构成的组中的共形材料层；

至少淀积选自金属硅化物和形成硅化物的金属构成的组中的一种材料，且其中当所述材料是所述形成硅化物的金属时，所述形成硅化物的金属同与所述金属接触的多晶硅或非晶硅发生反应，从而在多晶硅或非晶硅上形成金属硅化物；

将所述金属硅化物整平到所述隔离衬垫的顶面，并填充被所述导电扩散势垒材料包围的空腔；

对未被所述隔离衬垫保护的那些部分的掺杂多晶硅、导电扩散势垒材料和金属硅化物进行腐蚀；

清除所述隔离衬垫；以及

注入源区和漏区。

10.权利要求9的工艺，其中所述绝缘衬垫结构包含氮化硅层。

11.权利要求9的工艺，其中所述共形层包含掺杂的多晶硅。

12.权利要求11的方法，其中所述共形层包含二个掺杂的多晶硅层，上层的掺杂浓度高于下层。

13.权利要求9的方法，还包含在所述栅导体上制作氧化硅帽。

14.权利要求9的方法，其中所述二氧化硅帽在清除所述隔离帽之前制作，且包含淀积CVD氧化硅层、将其整平和抛光到所述隔离衬垫的顶面。

15.权利要求9的方法，还包括制作用来产生无边界位线接触的着床衬垫、制作接触销和确定布线层。

16.权利要求9的工艺，其中电连接的长度约为200埃或更小。

17.权利要求9的工艺，其中电连接的长度约为100埃或更小。