[发明专利]磁光记录介质和磁光记录/重放装置无效

专利信息
申请号: 99110598.2 申请日: 1999-08-09
公开(公告)号: CN1244703A 公开(公告)日: 2000-02-16
发明(设计)人: 竹内厚;福岛义仁;竹本宏之;伊藤健一;守部峰生;沼田健彦 申请(专利权)人: 索尼公司;富士通株式会社
主分类号: G11B13/04 分类号: G11B13/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王勇,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 重放 装置
【说明书】:

发明涉及到一种采用了磁感应超分辨率技术的磁光记录介质,还特别涉及到一种用于此类磁光记录介质的磁光记录/重放装置。

磁感应超分辨率(MSR)技术作为磁光记录介质的一种较高密度记录手段已经是公知的。MSR技术是将磁光记录介质的记录层分成至少三个磁性层,利用磁性层之间的磁性转换耦合来获得比按照所用的读出光的波长所确定的分辨率更高的分辨率。

MSR技术包括FAD(前窗孔检测)方法,在读出光点之内的高温区中使读出光照射一侧的磁性层在一个方向上磁化,而仅仅从低温区中检测信号;RAD(后窗孔检测)方法,在读出光点之内的低温区中使读出光照射一侧的磁性层在一个方向上磁化,而仅仅从高温区中检测信号;双掩模RAD方法,在一个读出光点之内的高、低温区内分别使读出光照射一侧的磁性层在一个方向上磁化,而仅仅从高、低温度区之间的中间温度区中检测信号。

在所有这些方法中,用读出光束点读出信号的区域都是很窄的,通过缩小读出光束点的大小也可以获得与此类似的效果。这样就有可能在磁光记录介质上完成更高密度的记录,其分辨率高于由使用的读出光的波长所确定的分辨率。

为了实施上述的MSR技术,当一束读出光被照射到磁光记录介质上用来从磁光记录介质上读出信息信号时,需要为磁光记录介质提供一个磁场,使读出光点之内的一部分磁光记录介质在一个方向上磁化。下文中将这种磁场称为“读出头磁场”。

在采用MSR技术时需要降低读出头磁场的强度。然而,如果在采用MSR技术时必须要提供大的读出头磁场,与这种磁光记录介质配合使用的磁光记录/重放装置就必须采用能够提供这种大的读出头磁场的专用磁头。

然而,磁光记录装置本身就包括一个用来产生磁场的写入磁头。如果可以采用小的读出头磁场,就可以用写入磁头来提供读出头磁场。

因此,本发明的目的是提供一种能够克服上述现有技术缺陷的磁光记录介质,在其中采用MSR技术,并且可以用小读出头磁场从中读出信息信号,以及一种适合在这种磁光记录介质上读出和写入信息信号的磁光记录/重放装置。

用来实现上述目的的磁光记录介质具有:

具有沿着一条记录轨迹形成的脊和槽的一个基片;以及

形成在基片上,并且由至少三个磁性层的叠层构成的一个记录层;

用脊上记录方法将信息信号写在磁光记录介质上,其中的信息信号被写在脊上;并且

为了从磁光记录介质上读出信息信号,为磁光记录介质提供一个磁场,让读出光点之内的一部分磁性层中受到读出光照射的磁性层在一个方向上磁化。

由于采用了脊上记录方法,可以利用MSR技术用较小的读出头磁场从这种磁光记录介质上读出信息信号。

按照本发明的另一方面,磁光记录介质应该能够符合以下条件,当写在磁光记录介质上的信息信号被读出时,为受到读出光照射的磁性层提供一个读出头磁头,分别使其相对于读出光点的移动方向在读出光点内的一个区域内在前、后部位的预定方向上磁化。换句话说,这种磁光记录介质应该适合MSR技术中的双掩模RAD方法。在这种MSR技术中,双掩模RAD方法具有高分辨率,这样就能在磁光记录介质中采用更高的记录密度。

按照本发明的另一个方面,读出头磁场的场强应该在28000A/m以下。由设在常规的磁光记录/重放装置中的写入磁头产生的磁场大小处在20000到28000A/m的量级。因此,如果将读出头磁场的大小限制在28000A/m以下,就可以把写入磁头作为提供读出头磁场的磁头。

按照本发明的另一方面,磁光记录介质的形状应该优选是一个盘,并且具有用径向划分的记录区所限定的多个记录带,按照预定的速度转动磁光记录介质,在磁光记录介质上写入或是读出信息信号时让写入或是读出光至少在各自的记录带内聚焦,针对每个记录带改变其转速或是参考时钟频率。换句话说,这种磁光记录介质应该优选采用ZCAV(区域恒定角速度)方法。采用ZCAV方法可以提高磁光记录/重放装置的记录密度,不需要复杂的旋转驱动电路。

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