[发明专利]有机场致发光器件无效

专利信息
申请号: 99110952.X 申请日: 1999-06-25
公开(公告)号: CN1086543C 公开(公告)日: 2002-06-19
发明(设计)人: 荒井三千男;小堀勇;三桥悦央 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H05B33/14 分类号: H05B33/14;H05B33/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 黄泽雄
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 机场 发光 器件
【说明书】:

发明涉及一种有机场致发光(EL)器件,更具体地说,本发明涉及一种适用于下述类型发光器件的无机/有机结合结构,在此器件中,电场加在有机化合物的薄膜上使之发光。

通常,有机EL器件有一种基本构成,其包括玻璃基底、ITO等的透明电极、有机胺化合物形成的空穴输送层、由具有电子传导性和强发光性的材料例如Alq3形成的有机发光层,和由具有低逸出功的金属例如MgAg形成的电极,以所述的顺序把这些层面层叠在基底上而构成器件。

迄今已经报道的发光器件的构成中,在空穴注入电极和电子注入电极之间插有一个或多个有机化合物层。有机化合物层通常是两层或三层结构。

包括在两层结构中的有两种结构,其中一种结构是在空穴注入电极和电子注入电极之间形成一个空穴输送层和一个发光层,另一种结构是在空穴注入电极和电子注入电极之间形成一个发光层和一个电子输送层。包括在三层结构中的一种结构是在空穴注入电极和电子注入电极之间形成一个空穴输送层、一个发光层和一个电子输送层。还知道一种单层结构,其中的单层是由一种聚合物或一种混合体系形成的,它起着所有的作用。

图3和图4显示了有机EL器件一般的结构。

在图3中,在基底11上的空穴注入电极12和电子注入电极13之间形成了有机化合物的空穴输送层14和发光层15。在这种构成中,发光层15也起到电子输送层的作用。

在图4中,在基底11上的空穴注入电极12和电子注入电极13之间形成了有机化合物的空穴输送层14,发光层15和电子输送层16。

人们作了一些尝试来提高这些有机EL器件的发光效率,然而,现有技术中的发光器件的构成,由于空穴注入和输送层的低的空穴注入效率,使在发光层里进行有效地重新结合、从而提供一种具有充分满意效率的发光器件是困难的。

本发明的一个目的是提供一种有机EL器件,它具有改善的空穴注入效率、改善的发光效率、低的操作电压和低成本。

如下所定义的本发明达到了这个和其它目的。

(1)一种有机场致发光器件,其包括

一个空穴注入电极,

一个电子注入电极,

在电极间至少一个有机层,所说的有机层中的至少一个具有发光功能,和

在所说的空穴注入电极和所说的有机层之间的一个高电阻无机空穴注入层,所说的高电阻无机空穴注入层能够阻塞电子并具有传递空穴的传导途径。

(2)(1)的有机场致发光器件,其中所述的高电阻无机空穴注入层的电阻率为1-1×1011Ω-cm。

(3)(1)或(2)的有机场致发光器件,其中所述的高电阻无机空穴注入层包括至少一种选自绝缘金属和半金属的氧化物、碳化物、氮化物、硅化物或硼化物和至少一种金属和半金属的氧化物。

(4)(1)到(3)的任一有机场致发光器件,其中所述的高电阻无机空穴注入层包括

作为主要成分的氧化硅或氧化锗或氧化硅和氧化锗的混合物,这种主要成分用通式表示为:(Si1-xGex)Oy其中0≤x≤1且1.7≤y≤2.2,和

一种具有逸出功为至少4.5eV的金属或者其氧化物。

(5)(4)的有机场致发光器件,其中所述的金属是从Au、Cu、Fe、Ni、Ru、Sn、Cr、Ir、Nb、Pt、W、Mo、Ta、Pd和Co里选择的至少一种。

(6)(4)或(5)的有机场致发光器件,其中所述的金属和/或金属氧化物的含量是0.2-40摩尔%。

(7)(1)到(6)的任一有机场致发光器件,其中所述的高电阻无机空穴注入层的厚度是1-100nm。

图1显示的是根据本发明的一个实施方案的有机EL器件构成的横断面示意图。

图2显示的是根据本发明的另一个实施方案的有机EL器件构成的横断面示意图。

图3显示的是有一个空穴输送层的两层结构的有机EL器件的横断面示意图。

图4显示的是有一个空穴输送层和一个电子输送层的三层结构的有机EL器件的横断面示意图。

本发明的有机EL器件有一个空穴注入电极、一个电子注入电极、和电极之间的至少有一个有机层、至少一个有机层具有发光功能,该发光器件在空穴注入电极和有机层之间还有一个高电阻无机空穴注入层,这种高电阻无机空穴注入层能够阻塞电子,具有传递空穴的传导途径。

通过在空穴注入电极和有机层间提供具有空穴传导途径和能够阻塞电子的无机空穴注入层,使得把空穴有效地注入发光层从而改善发光效率、降低激励电压成为可能。

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