[发明专利]烷氧基N-羟基烷基链酰胺作为抗蚀剂脱除剂的用途无效

专利信息
申请号: 99111965.7 申请日: 1999-08-05
公开(公告)号: CN1243971A 公开(公告)日: 2000-02-09
发明(设计)人: 朴东镇;黄震虎;吉俊仍;朴济应;全相文 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 孙爱
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 烷氧基 羟基 烷基 链酰胺 作为 抗蚀剂 脱除 用途
【权利要求书】:

1、一种抗蚀剂脱除剂,其包含烷氧基N-羟基烷基链酰胺。

2、根据权利要求1的抗蚀剂脱除剂,其中,烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺由式(I)表示:

R4-O-R3-CO-N-R1R2OH         (I)其中

R1为氢原子、C1-C5烃基或具有1-3个环的芳族烃基;

R2为C1-C5烃基或具有1-3个环的芳族烃基;

R3和R4彼此独立地为C1-C5烃基。

3、根据权利要求2的抗蚀剂脱除剂,其中,R1为氢,R2为-CH2CH2-,R3为-CH2CH2-,R4为-CH3

4、一种抗蚀剂脱除组合物,其包含:

烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺;和

至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂。

5、根据权利要求4的抗蚀剂脱除组合物,其中,烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺由式(I)表示:

R4-O-R3-CO-N-R1R2OH         (I)其中

R1为氢原子、C1-C5烃基或具有1-3个环的芳族烃基;

R2为C1-C5烃基或具有1-3个环的芳族烃基;

R3和R4彼此独立地为C1-C5烃基。

6、根据权利要求4的抗蚀剂脱除组合物,其中,极性材料选自水、甲醇和二甲亚砜。

7、根据权利要求4的抗蚀剂脱除组合物,其中,侵蚀抑制剂由下式(II)表示:

                 R6-(OH)n     (II)其中,R6为C1-C5烃基,具有-COOH基团的C1-C5烃基,具有1-3个环的芳族烃基,或具有1-3个环且在至少一个环上具有-COOH基团的烃基。n为整数1-4。

8、根据权利要求4的抗蚀剂脱除组合物,其中,以抗蚀剂脱除组合物重量计,烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺的含量为约30至约99.9wt%。

9、根据权利要求4的抗蚀剂脱除组合物,其中,以抗蚀剂脱除组合物重量计,极性材料和侵蚀抑制剂的含量分别为约0.01至约30wt%。

10、一种抗蚀剂脱除组合物,其包含:

烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺;和

链烷醇胺。

11、根据权利要求10的抗蚀剂脱除组合物,还包含至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂。

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