[发明专利]烷氧基N-羟基烷基链酰胺作为抗蚀剂脱除剂的用途无效
申请号: | 99111965.7 | 申请日: | 1999-08-05 |
公开(公告)号: | CN1243971A | 公开(公告)日: | 2000-02-09 |
发明(设计)人: | 朴东镇;黄震虎;吉俊仍;朴济应;全相文 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 孙爱 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烷氧基 羟基 烷基 链酰胺 作为 抗蚀剂 脱除 用途 | ||
1、一种抗蚀剂脱除剂,其包含烷氧基N-羟基烷基链酰胺。
2、根据权利要求1的抗蚀剂脱除剂,其中,烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺由式(I)表示:
R4-O-R3-CO-N-R1R2OH (I)其中
R1为氢原子、C1-C5烃基或具有1-3个环的芳族烃基;
R2为C1-C5烃基或具有1-3个环的芳族烃基;
R3和R4彼此独立地为C1-C5烃基。
3、根据权利要求2的抗蚀剂脱除剂,其中,R1为氢,R2为-CH2CH2-,R3为-CH2CH2-,R4为-CH3。
4、一种抗蚀剂脱除组合物,其包含:
烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺;和
至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂。
5、根据权利要求4的抗蚀剂脱除组合物,其中,烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺由式(I)表示:
R4-O-R3-CO-N-R1R2OH (I)其中
R1为氢原子、C1-C5烃基或具有1-3个环的芳族烃基;
R2为C1-C5烃基或具有1-3个环的芳族烃基;
R3和R4彼此独立地为C1-C5烃基。
6、根据权利要求4的抗蚀剂脱除组合物,其中,极性材料选自水、甲醇和二甲亚砜。
7、根据权利要求4的抗蚀剂脱除组合物,其中,侵蚀抑制剂由下式(II)表示:
R6-(OH)n (II)其中,R6为C1-C5烃基,具有-COOH基团的C1-C5烃基,具有1-3个环的芳族烃基,或具有1-3个环且在至少一个环上具有-COOH基团的烃基。n为整数1-4。
8、根据权利要求4的抗蚀剂脱除组合物,其中,以抗蚀剂脱除组合物重量计,烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺的含量为约30至约99.9wt%。
9、根据权利要求4的抗蚀剂脱除组合物,其中,以抗蚀剂脱除组合物重量计,极性材料和侵蚀抑制剂的含量分别为约0.01至约30wt%。
10、一种抗蚀剂脱除组合物,其包含:
烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺;和
链烷醇胺。
11、根据权利要求10的抗蚀剂脱除组合物,还包含至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂。
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