[发明专利]铁电型含氟甾类液晶、制备方法及其用途无效
申请号: | 99113424.9 | 申请日: | 1999-01-18 |
公开(公告)号: | CN1229119A | 公开(公告)日: | 1999-09-22 |
发明(设计)人: | 闻建勋;沈悦海;陈浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海有机化学研究所 |
主分类号: | C09K19/36 | 分类号: | C09K19/36 |
代理公司: | 上海华东专利事务所 | 代理人: | 邬震中,李昌群 |
地址: | 20003*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁电型含氟甾类 液晶 制备 方法 及其 用途 | ||
1.一种铁电型含氟甾类液晶,其特征是具有如下结构式:其中n=1-12,m=1或2,A=单键、O、S、NH、CH2CH2或CH=CH,B=单键或S,D=5,6-二氢或5,6-双键,R=C2-12的烷基、烯基、烷基酸甲酯基或乙酯基,X=H、F或Cl。
2.如权利要求1所述的铁电型含氟甾类液晶,其特征是所述的结构中R是CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)2、CH(CH3)CH2CH2CO2CH3、CH(CH3)CH2CH2CO2C2H5、CH(CH3)CH2CH2CH(C2H5)CH(CH3)2,CH(CH3)CH=CHCH(CH3)CH(CH3)2或CH(CH3)CH=CH2。
3.如权利要求1或2所述的铁电型含氟甾类液晶,其特征是具有如下结构式:其中n,D,R,X同权利要求1。
4.如权利要求1或2所述的铁电型含氟甾类液晶,其特征是具有如下结构式:其中n,D,R,X同权利要求1。
5.如权利要求1或2所述的铁电型含氟甾类液晶,其特征是具有如下结构式:其中n,D,R,X同权利要求1。
6.如权利要求1或2所述的铁电型含氟甾类液晶,其特征是具有如下结构式:其中n,D,R,X同权利要求1。
7.如权利要求1或2所述的铁电型含氟甾类液晶,其特征是具有如下结构式:其中n,D,R,X同权利要求1。
8.如权利要求1或2所述的铁电型含氟甾类液晶,其特征是具有如下结构式:其中n,D,R,X同权利要求1。
9.如权利要求1或2所述的铁电型甾类液晶的制备方法,其特征是分别由下述方法制得:和氮原子上带有孤对电子的有机胺化合物,摩尔比为1∶0.7-2∶0.7-10,在溶剂中室温下反应10-60小时;和氮原子上带有孤对电子的有机胺化合物摩尔比为1∶0.7-2∶0.7-10,在溶剂中室温下反应10-60小时;
脱水剂和催化剂摩尔比为1∶0.8-5∶0.5-5∶0-0.10时,在溶剂存在下于室温至回流温度下反应10-100小时;
上述的氮原子上带有孤对电子的有机胺化合物是C1-24的伯胺、仲胺、叔胺,四甲基乙二胺,四乙基二乙二胺,甲基吡啶,吡啶或联二吡啶,所述的脱水剂是N,N’-二环己基碳酰二亚胺,催化剂是N,N-二甲基胺吡啶,E=单键、CH=CH或CH2CH2,所述的n、D、X或R同权利要求1。
10.如权利要求1或2所述的铁电型含氟甾类液晶的用途,其特征是用于液晶材料。
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