[发明专利]弛豫铁电单晶铌镁酸铅的制备方法无效
申请号: | 99113472.9 | 申请日: | 1999-02-11 |
公开(公告)号: | CN1080777C | 公开(公告)日: | 2002-03-13 |
发明(设计)人: | 罗豪甦;殷之文;沈关顺;徐海清;齐振一;许桂生;王评初;乐秀宏;刘克;李金龙;仲维卓 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/22 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振苏 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弛豫铁电单晶铌镁酸铅 制备 方法 | ||
1.一种弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅(PMNT)的制备方法,包括:原料处理,升温熔化,生长和降温一系列晶体生长过程,其特征在于:
(1)原料配比按照化学式xPMN-(1-x)PT进行,其中PMN代表Pb(Mg1/3Nb2/3)O3,PT代表PbTiO3,x为0.60~0.80;
(2)xPMN-(1-x)PT原料与PbO助溶剂的摩尔比为100∶0~10;
(3)坩埚下降速度为0.1~2mm/hr,或坩埚静止不动,适当调节炉内温度梯度,进行缓慢降温。
2.按权利要求1所述的制备方法,其特征在于生长炉的温场分布在坩埚开始下降时其温度梯度沿下降方向的最大值大于50℃/cm。
3.按权利要求1所述的制备方法,其特征在于在生长时不限制籽晶大小,根据坩埚尺寸,一般优选籽晶的横截面积(S籽晶)与生长晶体的横截面积(S晶体)之比(S籽晶/S晶体)大于70%。
4.按权利要求1、2所述的制备方法,其特征在于晶体生长时籽晶的取向一般为<001>、<110>或<111>。
5.按权利要求1、2所述的制备方法,其特征在于晶体生长的起始原料可以是:
(1)按化学式配比后,球磨1-10小时,混合成均匀的粉料,经静水压或模压成型后作为晶体生长的起始料;或者
(2)按化学配比后,将所配的粉料放入铂金坩埚内,在温度为1100-1260℃条件下固相烧结成PMNT和PbO的混合料,然后将烧结料研磨充分混合,再经静水压或模压成型作为晶体生长的起始料;或者
(3)按化学配比后放入铂金坩埚内在1290-1400℃条件下熔化后,浇铸冷却成多晶料,作为晶体生长的起始料。
6.按权利要求1、2所述的制备方法,其特征在于生长时所用的坩埚是金属坩埚,特别是贵金属坩埚或涂复的氧化物坩埚、氮化物坩埚,并按所要求的晶体形状选用坩埚。
7.按权利要求1、2所述的制备方法,其特征在于生长设备或是一般的温度梯度法装置,或是自制的坩埚下降装置。
8.按权利要求1、2所述的制备方法,其特征在于化学配比为0.67PMN-0.33PT。
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