[发明专利]基准振荡器的温度补偿方法无效
申请号: | 99117505.0 | 申请日: | 1999-08-06 |
公开(公告)号: | CN1283893A | 公开(公告)日: | 2001-02-14 |
发明(设计)人: | 克莱德·O·托德;塔尼·V·迪;弗兰克·A·波贾里;小杰里·T·波顿 | 申请(专利权)人: | 摩托罗拉公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基准 振荡器 温度 补偿 方法 | ||
1.一种用于调节无线电频率(RF)晶体振荡器中工作在预定温度范围内或预定温度范围外的基准晶体的频率的温度补偿方法,包括以下步骤:
在预定温度范围内操作RF晶体振荡器;
根据最大工作温度变化的最小工作频率变化确定基准晶体的拐变参数。
通过在基准晶体中使用电抗改变拐变参数使基准晶体在更大的频率范围内保持更好的频率稳定性;
当基准晶体的工作温度在预定频率范围之外时改变电抗的值以使基准晶体的工作频率保持在预定的容许范围内。
2.权利要求1中所定义的温度补偿方法,其中的电容是一个电压可变电容器。
3.权利要求2中所定义的温度补偿方法,其中改变电容值的步骤包括:
改变电压可变电容器的电压以改变连接到基准晶体的电容。
4.一种基准振荡器温度补偿的方法用于改变用在可作用在预定的低、正常或高温度范围内的基准振荡器中的基准晶体的工作频率,包括以下步骤:
在正常温度范围内操作至少包含有一个工作晶体的基准振荡器;
确定该晶体的拐变参数,该晶体在工作晶体温度变化时产生有限的频率变化。
根据拐变参数对基准振荡器中的电压可变电抗采用控制电压改变该晶体的工作特征曲线以使基准振荡器在正常温度范围内在相当大的频率范围内保持频率的稳定性;
当该晶体的工作温度升高到预定的高温度范围或下降到预定的低温度范围时改变电压可变电抗的控制电压以限制基准振荡器的补偿并保持该晶体在预定的频率容许范围内。
5.一种补偿用在可工作在冷、中等或热温度范围内的基准振荡器中的频率确定晶体的方法,包括以下步骤:
在频率确定晶体上连接一个电压可变电抗响应该电抗的控制电压,改变基准振荡器的频率;
根据电压对温度的特征曲线产生一个控制电压,其中特征曲线在中等温度范围内是基本线性变化。
当在冷或热温度范围内时改变控制电压的大小使基准振荡器的工作频率保持在预定的频率容许范围内;
将控制电压连接到电抗使基准振荡器在冷、中等和热温度范围内保持一个基本不变的频率。
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