[发明专利]地膜种植膜沟灌溉自行出苗的栽培方法无效

专利信息
申请号: 99117621.9 申请日: 1999-08-02
公开(公告)号: CN1079184C 公开(公告)日: 2002-02-20
发明(设计)人: 许明东;叶玉香 申请(专利权)人: 许明东
主分类号: A01B79/02 分类号: A01B79/02
代理公司: 新疆专利服务中心 代理人: 白志斌
地址: 833400 新疆维吾尔自治*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 地膜 种植 沟灌 自行 出苗 栽培 方法
【权利要求书】:

1.一种地膜种植膜沟灌溉自行出苗的栽培方法,包括根据农田自然坡降平整土地,清除土地中的秸秆、残膜等残留物,其特征是有如下步骤:

(1)在计划铺膜播种行内侧深耕松土,施入基肥;

(2)开出梯形膜沟,将梯形膜沟两侧形成的垄面和膜沟面平整细碎;

(3)在准备铺膜的垄面两侧开出压膜边的压膜沟;

(4)在垄面的表土上或在膜沟底面表土上按农作物株距点播种子,并将

   种子压入表土中,随后铺超薄地膜,将地膜边压严实;

(5)根据底面坡度,播种行长度及灌水定额确定在膜沟侧的地膜面上打

   均布的给水孔,由膜沟输水,通过给水孔进行膜下灌溉;

(6)膜下播种土壤被浸润后,将播种行的地膜上压封2-4cm厚的碎土,

   使种子萌芽后自行穿膜出苗。

2.根据权利要求1所述的地膜种植膜沟灌溉自行出苗的栽培方法,其特征是窄膜膜沟的沟口宽20-50cm,沟底宽为6-20cm,沟深为6-20cm,垄面宽度为6-24cm。

3.根据权利要求1所述的地膜种植膜沟灌溉自行出苗的栽培方法,其特征是宽膜膜沟的沟口宽为100-120cm,沟底宽为90-110cm,沟深为10-20cm。

4.根据权利要求1所述的地膜种植膜沟灌溉自行出苗的栽培方法,其特征是超薄地膜的厚度为0.003-0.008mm。

5.根据权利要求1所述的地膜种植膜沟灌溉自行出苗的栽培方法,其特征是宽膜膜沟底面两行种子播种行之间的地膜下部,设置一道平行播种行的小土埂。

6.根据权利要求1所述的地膜种植膜沟灌溉自行出苗的栽培方法,其特征是膜沟两侧面的给水孔径为4-20mm,孔距为10-60cm。

7.根据权利要求1所述的地膜种植膜沟灌溉自行出苗的栽培方法,其特征是使压入表土中的种子保持平整一致,种子清晰可见,然后再覆盖地膜。

8.根据权利要求1所述的地膜种植膜沟灌溉自行出苗的栽培方法,其特征是对于土壤墒情好的农田在播种垄面上先封压3cm的碎土层,待种子自行出苗后,然后在膜沟两侧的中下部的膜面上打均布的给水孔,按每亩15公斤的化肥均匀撒入膜沟中,然后开始浇水。

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