[发明专利]等离子体显示装置无效
申请号: | 99117727.4 | 申请日: | 1999-08-12 |
公开(公告)号: | CN1284695A | 公开(公告)日: | 2001-02-21 |
发明(设计)人: | 苏耀庆;宋文发;林义哲 | 申请(专利权)人: | 达碁科技股份有限公司 |
主分类号: | G09F9/313 | 分类号: | G09F9/313 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 黄敏 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 显示装置 | ||
本发明涉及一种等离子体显示装置,特别涉及一种具有较大主亮区的等离子体显示装置。
一般的等离子体显示装置(Plasma Display Panel,简称PDP)的前板电极是以公知的半导体制造技术制成,由其发光的方式可分为穿透型及反射型两种,其中所谓穿透型PDP是指荧光材料是形成在前板上;而反射式PDP则指的是荧光材料形成在后板上。现今的研究是朝向反射型的PDP发展。
前板电极可分为两种,一为透明电极,一般是利用ITO材料制成,另一为辅助电极,为不透明材料,一般则是采用Cr/Cu/Cr或Cr/Al/Cr等的三层结构。目前,采用公知前板电极结构的PDP,在发光时会造成在同一像素(pixel)内,有亮暗亮暗亮暗区分布的现象,造成亮区光线无法有效集中利用,并且会造成暗区偏亮,同时,在辅助电极的黏着力及在蚀刻方面均有不良影响。
参照图1a,其为一般PDP的结构,包括:一对平行相对的基板10,包括有第一基板10a与第二基板10b;多对透明电极12,形成在上述第一基板10a上,向第一方向延伸,彼此平行,同时在垂直于上述第一方向的第二方向上各对透明电极12是等距间隔;多对辅助电极14,形成在上述多对透明电极12上,向第一方向延伸,彼此平行;一介电层16,覆盖住整个第一基板10a及其上的透明电极12与辅助电极14;多组定址电极18,形成在上述第二基板10b上,向第二方向延伸,彼此平行,同时在第一方向上各定址电极18为等距间隔;多个间隔层20,形成在第二基板10b上,与该多个定址电极18相平行,用以界定该放电空间为像素阵列;及多个荧光层22,形成在上述间隔层20间,用以当施加电压在上述定址电极18与上述透明电极12及辅助电极14,导致放电空间中的气体开始放电时,受放电产生的紫外光的作用而发光。
其中,在两基板10a、10b间充入有气体,一般是He气,当电极通以适当极性的电压时,充入前、后基板10a、10b间的气体会发生崩溃(breakdown)现象,气体被大量离子化,于是产生等离子体,而利用等离子体所产生的紫外光来激发特定型式的红、绿、蓝色的荧光物质,荧光物质受激发后,会放出可见光,而可见光会经由前基板射出。在现有的前板电极结构中,参照图1b,辅助电极14完全贴于透明电极12之上,并因制造中对准的问题,通常辅助电极14的边缘与透明电极12的边缘有一小段距离,一般约为10~20μm,此位置为透光的部分,而辅助电极14的材料为不透光,所以会造成荧光物质放射出光线时,除了主亮区外,在暗区间仍有3个小亮区存在,导致暗区的暗准位会不够低,影响对比值。另外,如Cr/Cu/Cr结构的辅助电极,其中Cr层与形成透明电极的ITO材料的黏着性不佳,容易在后续的工艺中剥离。而且,在蚀刻过程中,因Cu/Cr/ITO间存在有电位的问题,会造成Cr层有较大的侧向蚀刻,更降低了辅助电极与透明电极间的黏着性。并且,在形成介电层时可能会造成残留的气泡,这些情形在大尺寸的PDP中,因为均匀性的问题,会造成更大的影响。
在先有技术中,针对对比不良的问题,有提出在公知的PDP结构中对前板加上黑带,以改良对比。其形成黑带的方式可如图2或图3所示,也就是说,黑带30、32可形成于各对透明电极12之间,或者可形成并覆盖位于各对透明电极12间的空隙。然而,不论是那一种方式,其虽能改善对比度,但却无法针对固定的像素大小,将亮区范围扩大。
由此,为了解决先有技术的问题,本发明的目的在于提出一种等离子体显示装置,其可以在固定的像素大小的情况下,扩大亮区的范围。
本发明的另一目的在于提供一种等离子体显示装置,其辅助电极具有较佳的附着性,可避免在制造中受外力作用而剥离,以增进等离子体显示装置制造时的优良率。
为了达到上述目的,本发明利用改变在制造中形成辅助电极的位置,使辅助电极并不仅是与透明电极接触,也同时与基板接触。如此,虽然作为辅助电极材料的铬(Cr)与作为透明电极材料的ITO间的附着性差,但由于铬对玻璃基板的附着性良好,因此可改善整个辅助电极的附着性。再者,若将辅助电极的形成位置向透明电极的外侧偏移,则可使得透明电极的亮区面积增大。
另外,如上所述,在蚀刻过程中,因Cu/Cr/ITO间存在有电位的问题,会造成Cr层有较大的侧向蚀刻,所以在使得辅助电极直接与基板接触时,就可以避免上述电位问题的产生,也就可以防止Cr层有较大的侧向蚀刻,因此,也可改善辅助电极的附着性。
为了更进一步说明本发明的方法、结构与特点,现结合附图说明较佳实施例如下,其中:
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