[发明专利]闪烁存储器、其写入和删除方法及其制造方法

权利要求书

1.一种闪烁存储器，在半导体基片上配有：

设置在该半导体基片表面上的有拐角的沟槽；

设置在该沟槽内表面上的栅绝缘膜；

通过该栅绝缘膜埋入沟槽内的浮栅；和

与该浮栅绝缘地设置的控制栅；

其特征在于，在所述沟槽的底部拐角上，通过所述栅绝缘膜使所述浮栅的角部与半导体基片的隅相对，在控制栅为低电位，而半导体基片为高电位时，从浮栅拐角的角部拉出电子。

2.如权利要求1所述的闪烁存储器，其特征在于，在所述沟槽上部边缘的半导体基片表面上，设有阻碍从沟槽上部边缘的半导体基片的角向浮栅进行电子注入的厚绝缘膜。

3.如权利要求1所述的闪烁存储器，其特征在于，所述浮栅在半导体基片表面上为具有宽于沟槽幅度部分的T字形状，在沟槽上部边缘上通过所述栅绝缘膜使半导体基片的角部与浮栅的隅相对，

在控制栅为高电位，而半导体基片为低电位时，可从半导体基片向浮栅进行电子注入。

4.如权利要求3所述的闪烁存储器，其特征在于，利用插入所述半导体基片的沟槽，在一侧的基片表面上设有由浅杂质扩散层构成的源区，而在相反侧的基片表面上设有直至沟槽底部拐角由深杂质扩散层构成的漏区；

在控制栅为低电位，而所述漏区为高电位时，可将电子从浮栅拉向漏区；

在控制栅为高电位，而所述源区和所述漏区的至少其中一个为低电位时，可向浮栅进行电子注入。

5.如权利要求3所述的闪烁存储器，其特征在于，利用插入所述半导体基片的沟槽，在一侧的基片表面上设置直至沟槽底部拐角的由深杂质扩散层构成的漏区；

在相反侧的基片表面的离开所述浮栅的位置上设置源区；

在该源区和所述浮栅之间也可设置选择栅。

6.如权利要求2所述的闪烁存储器，其特征在于，在半导体基片表面的一个方向上按条纹形状设置所述沟槽；

在所述沟槽的上方按同一方向设置所述控制栅；

在与所述沟槽垂直的方向上的半导体基片表面上设置源区和漏区，以便使多个存储器单元连通；

所述浮栅位于所述控制栅下部，设置在所述源区和漏区之间。

7.如权利要求2所述的闪烁存储器，其特征在于，所述沟槽在半导体基片表面的一个方向上按条纹形状设置；

所述控制栅设置在与所述沟槽垂直的方向上；

所述浮栅位于所述控制栅下部，被设置在与所述沟槽交叉的地方；

利用插入所述浮栅，在半导体基片上设置了源区和漏区，沿所述控制栅延长，以便该源区与多个存储器单元连通。

8.如权利要求4所述的闪烁存储器，其特征在于，利用元件分离膜把所述半导体基片的表面与形成存储器单元的元件形成区进行分离；

设有所述沟槽，以便在该元件形成区内的中央附近的平面上可分断元件形成区，并在其两侧设置所述源区和所述漏区；

把所述浮栅埋入在该沟槽内，而且在平面形状中设置比沟槽形状大的形状；

在所述沟槽的上方，与分断所述源区和所述漏区方向相同的方向上设置所述控制栅。

9.如权利要求5所述的闪烁存储器，其特征在于，利用元件分离膜把所述半导体基片的表面与形成存储器单元的元件形成区进行分离；

设有所述沟槽，以便在该元件形成区内的中央附近可分断元件形成区，并在其两侧设置所述源区和所述漏区；

把所述浮栅埋入在该沟槽内，而且在平面形状中设置比沟槽形状大的形状；

在所述沟槽的上方，与分断所述源区和所述漏区方向相同的方向上设置所述控制栅；

在与所述控制栅相同的方向上设置所述选择栅，以便可覆盖所述浮栅与所述源区之间的半导体基片表面。

10.权利要求1所述的闪烁存储器的数据写入或删除方法，其特征在于，

通过把所述半导体基片设定为高电位，而把所述控制栅的电位设定为低电位，从浮栅中拉出电子，进行写入动作或删除动作中的至少一种动作。