[发明专利]可形成均匀蚀刻液膜的装置无效

专利信息
申请号: 99118488.2 申请日: 1999-09-03
公开(公告)号: CN1287470A 公开(公告)日: 2001-03-14
发明(设计)人: 范智朋 申请(专利权)人: 欣兴电子股份有限公司
主分类号: H05K3/06 分类号: H05K3/06;B05B13/02
代理公司: 柳沈知识产权律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 台湾省*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 形成 均匀 蚀刻 装置
【说明书】:

发明涉及一种蚀刻工艺装置,特别是涉及一种可形成均匀蚀刻液膜的装置。

现在用于制造印刷电路板的叠层板(laminate substrate)是以多个双面板压合形成,其中,双面板则是以一绝缘层与两层线路层交替叠合构成。绝缘层的上表面与下表面的线路层的形成方法包括先在绝缘层的上表面与下表面上分别形成一层金属铜层,接着,以光刻蚀刻工艺,限定金属铜层,以在绝缘层的上表面与下表面上分别形成一层线路层。

图1A显示现有双层板的金属铜层在蚀刻工艺中将金属铜层构图为线路层时的上视透视简图。图1B是图1A中沿I-I线的剖面简图。

请参照图1A与图1B,由绝缘层100以及金属铜层102a与102b相互叠合的一双面板104,在经过照像腐蚀工艺之后,接着进行金属铜层102a与102b的湿式蚀刻工艺。此湿式蚀刻工艺是以滚轮片式的滚轮106b支撑双面板104,并与金属铜层102b相接触(请参照图1A)。而双面板104在湿式蚀刻工艺中,一般多以滚轴106a带动滚轮片式滚轮106,使双面板104沿箭头110的方向水平移动,并以直管喷嘴114将蚀刻液108a以锥形喷洒方式垂直摇摆喷洒或水平往复式喷洒在金属铜层102a与102b上,或以斜管喷嘴(未绘示)将蚀刻液以一角度以摇摆方式喷洒或水平式往复式喷洒在金属铜层上,并在金属铜层102a上形成多个相对应喷嘴114的蚀刻液喷洒圈108b(请参照图1A),以达到湿式蚀刻的目的,并将金属铜层102a与102b蚀刻成线路层。

然而,蚀刻液容易在双面板104的金属铜层102a上形成由双面板边缘至中间越来越厚的不均匀的蚀刻液膜112,即水池效应。由于蚀刻液膜112的厚度不均匀,造成蚀刻速度有明显的差异,导致金属铜层102a的蚀刻效果不均匀,请参照图2,此图显示现有金属铜层102a经过蚀刻工艺之后,金属铜层102a表面的等高线图。很明显,由图2可得知,由于水池效应,在双面板104中间部分的蚀刻液膜较厚,反应后的蚀刻液不易替换,因此此部分的金属铜层102a的蚀刻结果较差。而在双面板104边缘部分的蚀刻液膜较薄,经常维持未反应的蚀刻液,则此部分的金属铜层102a的蚀刻效果较佳。所以,在双面板104的中间部位金属铜层102a的厚度较高,而边缘部位的金属铜层102a的厚度较薄。

因此,在现有技术中为了顺利驱动双面板104沿箭头110方向移动,在金属铜层102a上方,放置多个滚轮片式滚轮(请参照图3的滚轮片式滚轮120),但是滚轮片式滚轮120以及双面板104的行进方向会阻碍蚀刻液的流动,因此所形成的蚀刻液膜的厚度也会不均匀,而金属铜层102a的蚀刻结果还是不够好。

此外,现有技术还提出另一种蚀刻工艺装置以解决上述的水池效应,其以扇形喷嘴以一特定角度,同一方向对双面板的两侧的金属铜层喷洒蚀刻液,以使双面板上的蚀刻液产生导流现象,并以多个滚轮片式滚轮放置在双面板的上方的金属铜层上以辅助双面板顺利移动(此装置的剖面图与图3相似)。然而,由于滚轮片式滚轮会阻碍蚀刻液的流动且以一特定角度,同一方向喷洒蚀刻液,也会造成蚀刻液膜的厚度不均匀的结果。

本发明就是在于提供一种可形成均匀蚀刻液膜的装置,其配置在多个位于同一平面而彼此平行的滚轮片式滚轮上,且此滚轮片式滚轮用于支撑一双面板,而滚轮片式滚轮下方放置有多个第一蚀刻液喷嘴。此装置包括:多个实心滚轮、数排第二蚀刻液喷嘴与数排喷气嘴。实心滚轮位于滚轮片式滚轮上方的同一平面上而彼此平行,且每二相邻的实心滚轮间具有一间隔,此间隔又区分为第一间隔与第二间隔,此外,实心滚轮接触双面板,使得双面板上的蚀刻液膜可覆盖均匀。而第二蚀刻液喷嘴,则配置于第一间隔的上方,且与实心滚轮的轴向平行。而喷气嘴配置于第二间隔上方,且与该些实心滚轮的轴向平行。

由于实心滚轮与双面板相接触,因此可以将蚀刻液均匀地覆盖于双面板上,以提高蚀刻的均匀度。另外,由于每一排的蚀刻液喷嘴以一特定角度对双面板喷洒蚀刻液,以驱赶该双面板上的该蚀刻液,因此蚀刻液不会聚积在双面板上造成水池效应,可以有效降低蚀刻液膜的厚度,提高蚀刻速度。此外,由于蚀刻液喷嘴由中间向两旁喷洒蚀刻液,使得蚀刻液由中间向两旁流动,因此可以使双面板中间部位的蚀刻液膜厚度降低,以避免水池效应。而且,喷气嘴在导电层表面形成气流方向,因此可以将已经与双面板反应过的蚀刻液加速赶除,以增加导电层与新蚀刻液的接触反应几率,并且藉由赶除蚀刻液,可以破除水池效应,提高导电层的蚀刻均匀度。

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