[发明专利]高频低损失电极

权利要求书

1.一种高频低损失电极，其特征在于包含主导体以及沿所述主导体的侧面形成的至少一个分导体，至少一个具有薄膜导体和薄膜电介质交替层叠的多层结构的分导体。

2.如权利要求1所述的高频低损失电极，其特征在于位于最接近于分导体的外侧的分导体具有小于在应用频率的集肤深度δ的π/2倍的宽度。

3.如权利要求1所述的高频低损失电极，其特征在于最接近于所述分导体的外侧的分导体具有小于在应用频率的集肤深度δ的π/3倍的宽度。

4.如权利要求1到8的任一条所述的高频低损失电极，其特征在于高频低损失电极包含多个分导体，并且多个分导体的每一个都具有小于应用频率处的集肤深度δ的π/2倍的宽度。

5.如权利要求1到4的任一条所述的高频低损失电极，其特征在于所述多个分导体如此形成，从而其位于更为接近于外侧的分导体更薄。

6.如权利要求1到5所述的高频低损失电极，其特征在于分电介质分别设置在主导体和与主导体相邻的分导体之间，以及相邻的分导体之间。

7.如权利要求1到6的任一条所述的高频低损失电极，其特征在于主导体和与主导体相邻的分导体之间的间隔，以及相邻的分导体之间的间隔如此形成，从而其位于更为接近于外侧的间隔更短。

8.如权利要求6所述的高频低损失电极，其特征在于多个分电介质如此形成，从而其位于更为接近于外侧的分电介质具有更小的介质常数。

9.如权利要求1到8的任一条所述的高频低损失电极，其特征在于每一个具有多层结构的分导体的薄膜导体如此形成，从而在更为内部的位置的薄膜导体更厚。

10.一种高频低损失电极，其特征在于包含主导体和沿所述主导体的侧面形成的多个分导体，所述分导体如此形成，从而其位于更为接近于外侧的分导体具有更小的宽度，至少一个所述分导体具有薄膜导体和薄膜电介质交替层叠的多层结构。

11.如权利要求10所述的高频低损失电极，其特征在于所述至少一个分导体具有小于在应用频率的集肤深度δ的π/2倍的宽度。

12.如权利要求10所述的高频低损失电极，其特征在于至少一个所述分导体具有小于在应用频率的集肤深度δ的π/3倍的宽度。

13.如权利要求1到5的任一条所述的高频低损失电极，其特征在于分别将分电介质设置在主导体和与主导体相邻的分导体之间，以及相邻的分导体之间。

14.如权利要求10到12所述的任何一种高频低损失电极，其特征在于主导体和与主导体相邻的分导体之间的间隔和相邻的分导体之间的间隔如此设置，从而位于更为接近于外侧的间隔更短。

15.如权利要求13所述的高频低损失电极，其特征在于分电介质如此设置，从而位于更为接近于所述多个分电介质外侧的分电介质具有更小的介质常数。

16.如权利要求10到15的任一条所述的高频低损失电极，其特征在于具有多层结构的分导体和薄膜导体如此形成，从而其位于更为内部的薄膜导体更厚。

17.一种高频低损失电极，其特征在于包括主导体和沿主导体的侧面形成的多个分导体，除了至少是位于最接近于外侧的分导体外，分导体具有薄膜导体和薄膜电介质交替层叠的多层结构，所述分导体如此形成，从而其位于更为接近于外侧的分导体具有更少层叠的薄膜导体。

18.如权利要求1到17所述的任一条高频低损失电极，其特征在于主导体是包含交替层叠薄膜导体和薄膜电介质的薄膜多层电极。

19.如权利要求1到18所述的任一条高频低损失电极，其特征在于主导体和分导体中的至少一个是由超导体制成的。

20.一种高频传输线，其特征在于包含根据如权利要求1到19的任一条所述的高频低损失电极。

21.一种高频谐振器，其特特征在于包含如权利要求1到19的任一条所述的高频低损失电极。

22.一种高频谐振器，其特征在于包含如权利要求20所述的高频传输线，其中所述高频传输线的长度设置为四分之一波长的整数倍。