[发明专利]内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜无效
| 申请号： | 99118962.0 | 申请日： | 1999-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1103500C | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吴锦雷;张琦锋;刘惟敏;薛增泉;吴全德 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;G01J1/02 |
| 代理公司： | 北京华一君联专利事务所 | 代理人： | 朱美栋 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内场 金属 微粒子 介质 复合 光电 发射 薄膜 | ||
【权利要求书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
