[发明专利]用于阴极射线管的电阻、制做其的方法及包括其的FED无效

专利信息
申请号: 99119309.1 申请日: 1999-09-08
公开(公告)号: CN1247378A 公开(公告)日: 2000-03-15
发明(设计)人: 青木正树;大谷光弘;铃木茂夫;芦田英树 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01J29/96 分类号: H01J29/96;H01J29/48
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 韩宏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 阴极射线管 电阻 制做 方法 包括 fed
【权利要求书】:

1、一电阻,包括一金属导电氧化物和一过渡金属材料中的至少一个与一绝缘氧化物的混合物。

2、根据权利要求1的电阻,其是使用一火焰喷射方法被制做的。

3、根据权利要求2的电阻,其中该火焰喷射方法包括等离子火焰喷射。

4、根据权利要求2的电阻,其中该火焰喷射方法包括激光火焰喷射。

5、根据权利要求1的电阻,其中该金属导电氧化物是从由钛氧化物、铼氧化物、铱氧化物、钌氧化物、钒氧化物、锇氧化物、镧氧化物、SrRuO3、钼氧化物、钨氧化物和铌氧化物组成的组中选择的至少一种材料。

6、根据权利要求5的电阻,其中该金属导电氧化物是从由TiO、ReO3、IrO2、RuO2、VO、RhO2、OsO2、LaTiO3、SrRuO3、M0O2、WO2和NbO组成的组中选择的至少一种材料。

7、根据权利要求1的电阻,其中该过渡金属材料是从由钛、铼、钒和铌组成的组中选择的至少一种材料。

8、根据权利要求1的电阻,其中该绝缘氧化物是从由氧化铝、硅氧化物、锆氧化物和镁氧化物组成的组中选择的至少一种材料。

9、根据权利要求8的电阻,其中该绝缘氧化物是从由Al2O3、SiO2、ZrO2和MgO组成的组中选择的至少一种材料。

10、根据权利要求1的电阻,其中该金属导电氧化物是TiO,且该绝缘氧化物是Al2O3

11、根据权利要求1的电阻,其具有至少约1GΩ/□的面积电阻值。

12、一阴极射线管,包括根据权利要求11的电阻。

13、一种制做电阻的方法,包括有步骤:

在氧化铝基底、玻璃基底和玻璃管中的一个上形成一电极;和

火焰喷射一金属导电氧化物和一过渡金属材料中的至少一种与绝缘氧化物的一混合物,从而在氧化铝基底、玻璃基底和玻璃管中的一个上沉积该混合物。

14、一场致发射显示器,包括:

一阳极;

一阴极;和

设置在该阳极和该阴极之间的一电阻,其中

该电阻包括一金属导电氧化物和一过渡金属材料中的至少一种与一绝缘氧化物的一混合物,

该电阻是用火焰喷射方法被形成的,和

该电阻具有至少约1GΩ/□的面积电阻值。

15、根据权利要求14的场致发射显示器,还包括设置在该阳极和该阴极之间的一支座,其中该支座被该电阻所覆盖。

16、根据权利要求15的场致发射显示器,其中该支座包括玻璃和氧化铝中的至少之一。

17、根据权利要求14的场致发射显示器,其中该金属导电氧化物中从钛氧化物、铼氧化物、铱氧化物、钒氧化物、锇氧化物、镧氧化物、SrRuO3、钼氧化物、钨氧化物和铌氧化物组成的组中选择的至少一种材料。

18、根据权利要求17的场致发射显示器,其中该金属导电氧化物是从TiO、ReO3、IrO2、RuO2、VO、RhO2、OsO2、LaTiO3、SrRuO3、M0O2、WO2和NbO组成的组中选择的至少一种材料。

19、根据权利要求14的场致发射显示器,其中该过渡金属材料是从由钛、铼、钒和铌组成的组中选择的至少一种材料。

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