[发明专利]光电压产生器

权利要求书

1、一种光电压产生器，包含：

一衬底；

一绝缘层，设置在该衬底上；

第一杂质扩散层，设置在该绝缘层上；

第二杂质扩散层，深度达到该绝缘层，而极性和该第一杂质扩散层相反，且该第二杂质扩散层和该第一杂质扩散层在平行于该衬底上表面的方向上交互配置，形成多个纵向pn接面；

第三杂质扩散层，位于与该绝缘层相反侧的该第一杂质扩散层和该第二杂质扩散层的表面层，且极性与该第二杂质扩散层相同，该第三杂质扩散层一端连接到该第二杂质扩散层，而另一端横跨一该纵向pn接面，延伸入该第一杂质扩散层；

第四杂质扩散层，位于与该绝缘层相反侧的该第一杂质扩散层和该第二杂质扩散层的表面层，为极性与该第一杂质扩散层相同的高浓度杂质扩散层，该第四杂质扩散层连接到一该第一杂质扩散层，且不连接于与同一该第一杂质扩散层连接的该第三杂质扩散层，而该第四杂质扩散层至多横跨一该纵向pn接面。

薄膜电极层，同时连接一该第四杂质扩散层，及一该第二杂质扩散层或一该第二杂质扩散层上的该第三杂质扩散层；以及

隔离层，设置在该薄膜电极层之间。

2、如权利要求1所述的光电压产生器，其中：

该第一杂质扩散层是p型杂质扩散层，且该第二杂质扩散层是n型杂质扩散层。

3、如权利要求1所述的光电压产生器，其中：

该第一杂质扩散层是n型杂质扩散层，且该第二杂质扩散层是p型杂质扩散层。

4、如权利要求1所述的光电压产生器，其中：

该第二杂质扩散层使用高浓度杂质扩散层，由此和该薄膜电极层形成欧姆接触。

5、如权利要求1所述的光电压产生器，其中：

该第二杂质扩散层使用高浓度杂质扩散层，由此增加该第一和该第二杂质扩散层在衬底垂直方向的高度。

6、如权利要求1所述的光电压产生器，其中：

该第一和该第二杂质扩散层在衬底垂直方向的高度是10微米到40微米。

7、如权利要求5所述的光电压产生器，其中：

该第一和该第二杂质扩散层在衬底垂直方向的高度是10微米到40微米。

8、如权利要求1所述的光电压产生器，其中：

该第一和该第二杂质扩散层在衬底垂直方向的高度是10微米到25微米。

9、如权利要求5所述的光电压产生器，其中：

该第一和该第二杂质扩散层在衬底垂直方向的高度是10微米到25微米。

10、如权利要求1所述的光电压产生器，其中：

该第一和该第二杂质扩散层在衬底垂直方向的高度是25微米到40微米。

11、如权利要求5所述的光电压产生器，其中：

该第一和该第二杂质扩散层在衬底垂直方向的高度是25微米到40微米。

12、如权利要求1所述的光电压产生器，其中：

该第一杂质扩散层和该第二杂质扩散层彼此交互配置而平行线性排列为一光电压产生器阵列。

13、如权利要求4所述的光电压产生器，其中：

该第一杂质扩散层和该第二杂质扩散层彼此交互配置而平行线性排列为一光电压产生器阵列。

14、如权利要求5所述的光电压产生器，其中：

该第一杂质扩散层和该第二杂质扩散层是彼此交互配置而平行线性排列为一光电压产生器阵列。

15、如权利要求12的光电压产生器，其中：

该平行线性排列的光电压产生器阵列是利用在周边区域形成台面式结构来隔离。

16、如权利要求1所述的光电压产生器，其中：

该光电压产生器和其他电子零部件集成在同一芯片内，而其元件的隔离是利用接面隔离技术。

17、如权利要求15所述的光电压产生器，其中：

该光电压产生器和其他电子零部件集成在同一芯片内，而其元件的隔离是利用接面隔离技术。

18、如权利要求16所述的光电压产生器，其中：

该接面隔离技术的接面和该第二杂质扩散层的接面是同一工艺步骤时产生。

19、如权利要求17所述的光电压产生器，其中：

该接面隔离技术的接面和该第二杂质扩散层的接面是同一工艺步骤时产生。