[发明专利]氧化铝烧结体及其制造方法

权利要求书

1、一种制造多晶氧化铝烧结体的方法，其包括下列步骤，使氧化铝粉末经受超声辐照、不利用研磨介质的机械搅拌、或者超声辐照和不利用研磨介质的机械搅拌，得到分散在溶剂中的淤浆；将所述淤浆干燥并成形以制造一种生坯；然后在1400～1800℃大气中烧结所述生坯；其中纯度为99.99重量％或更高的所述氧化铝粉末包括表面基本上无裂缝的多面体颗粒，并包括多面体状的α氧化铝颗粒；其D/H比为0.5或更高至3.0或更低，这里D表示与α氧化铝颗粒六方密堆积点格的六方点格晶面平行的最大颗粒直径，H表示与α氧化铝颗粒六方密堆积点格的六方点格晶面垂直的最大颗粒直径；其数均颗粒尺寸为0.1微米或更高至1.0微米或更低；其D90/D10比值为7或更低，其中D10和D90分别是从累积颗粒尺寸分布的最小颗粒一侧至10％累积直径和90％累积直径处的颗粒尺寸。

2、根据权利要求1的方法，其中加了烧结剂的氧化铝粉末经超声辐照、不利用研磨介质的机械搅拌，或者超声波辐照和不利用研磨介质的机械搅拌，得到分散在溶剂中的淤浆。

3、根据权利要求1的方法，其中所述多晶氧化铝烧结体中孔的最大直径为10微米或更小，每平方毫米中1微米或更大至10微米或更小的所述孔的数目为20个或更少，所述氧化铝的纯度为99.99％或更高，且所述烧结体的密度为3.970克/立方厘米或更高。

4、根据权利要求2的方法，其中所述多晶氧化铝烧结体中孔的最大直径为10微米或更小，每平方毫米中1微米或更大至10微米或更小的所述孔的数目为10个或更少，所述氧化铝的纯度为99.99％或更高，且所述烧结体的密度为3.975克/立方厘米或更高。

5、根据权利要求2的方法，其中向所述氧化铝粉末中添加所述烧结剂的量以氧化物计为10ppm或更高至2000ppm或更低。

6、根据权利要求2的方法，其中向所述氧化铝粉末中添加所述烧结剂的量以氧化物计为10ppm或更高至70ppm或更低。

7、根据权利要求2的方法，其中所述烧结剂选自碱土金属化合物和硅化合物中的至少一种化合物。

8、根据权利要求2的方法，其中所述烧结剂为镁化合物。

9、由权利要求1所述氧化铝烧结体获得的半导体生产设备元件。

10、由权利要求1所述氧化铝烧结体获得的生物陶瓷。

11、由权利要求2所述氧化铝烧结体获得的半导体生产设备元件。

12、由权利要求2所述氧化铝烧结体获得的生物陶瓷。