[发明专利]热电堆感测元件及其制造方法

权利要求书

1、一种热电堆感测元件制造方法，其特征在于，至少包括下列步骤：

提供一硅基板；

沉积一第一绝缘层于该硅基板表面；

沉积一材料层于该第一绝缘层表面；

罩幕定义并蚀刻去除该材料层的一部分以形成一第一导线；

沉积一第二绝缘层于该第一导线与该第一绝缘层的表面；

去除该第二绝缘层的一部分，以形成多个接触窗；

沉积一第一金属层于该第二绝缘层的表面；

罩幕定义并蚀刻去除该第一金属层的一部分以形成一第二导线，并透过该接触窗使该第二导线与该第一导线接触于多个热端及冷端；

沉积一第三绝缘层于该第二导线与该第二绝缘层的表面；

蚀刻该第三绝缘层与该第二绝缘层的一部分，以使最后一条该第二导线的一部分裸露于外，用以连接至待形成的一第二金属垫，而第一条该第一导线也经由该第二导线连接至待形成的一第一金属垫；

沉积一第二金属层于该第三绝缘层之上；

蚀刻该第二金属层的一部分以形成该第一及第二金属垫；

沉积一第四绝缘层于该第三绝缘层与该第二金属层之上；

沉积一第三金属层于该第四绝缘层之上，并以蚀刻或去除的方法定义出黑体吸收层，用以吸收入射的红外线；

沉积一第五绝缘层于该第四绝缘层与该黑体吸收层的表面；

蚀刻该第四、第五绝缘层的一部分，形成一打线窗，以露出该第一、第二金属垫；

形成一蚀刻孔贯穿该第五、第四、第三、第二与第一绝缘层，而使该硅基板的表面裸露于外；以及

以正面蚀刻技术经由该蚀刻孔对该硅基板进行蚀刻，以掏空该硅基板。

2、如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，该材料层的材料可为金属或多晶硅等材料。

3、如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，该黑体吸收层可由钛、氮化钛、钛合金或其它金属或合金所组成。

4、如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，该第一导线与该第二导线的材料可由半导体材料所组成。

5、如权利要求1所述的热电堆感测元件制造方法，其特征在于，所述冷端的第一导线与第二导线可通过该第三金属层而连接。

6、如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，该第二导线的材料可由钛、铝、氮化钛、钛合金或铝合金之一或混合物所组成。

7、如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，可利用绕线方式使该第二导线呈曲折结构，以增加导线长度，并降低固体热传导。

8、如权利要求1所述的热电堆感测元件及其制造方法，其特征在于，该第一、第二金属垫可由该第一金属层制成。

9、如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，在形成该蚀刻孔的同时，也可在浮板中心开一蚀刻窗口，以提高制造工序的合格率。