[发明专利]有高介电常数的介电材料或铁电材料的电容器及制造方法

权利要求书

1.安置在半导体装置内的载体上的电容器，

-具有含贵金属的第1电极(6₁，7)，

-具有由高ε介电材料或铁电材料构成的电容器介电材料(9)，

-具有第2电极(10)，其特征为：

第1电极具有至少两彼此相隔的薄片(6₁)，这些薄片基本上对载体表面平行安置并经支撑结构(7)彼此电和机械连接。

2.根据权利要求1的电容器，其中，这些薄片(6₁)经支撑结构(7)与载体(1，2)电连接。

3.根据权利要求2的电容器，其中，支撑结构7安置在薄片(6₁)的至少一个外侧面上。

4.根据权利要求1或2的电容器，其中，支撑结构7贯通薄片。

5.根据权利要求1到4之一的电容器，其中，在其面向电容器的表面上的载体，具有其内安置接触点(3)的绝缘层(2)，其中，接触点(3)包含一扩散阻挡层(4)并与第1电极(6₁，7)连接。

6.根据权利要求5的电容器，其中，载体包含-MOS晶体管，接触点(3)把晶体管的S/D区(11)与第1电极(6₁，7)连接一起。

7.根据权利要求1的电容器制造方法，其中，在载体(1，2)表面上产生一层系列，该层系列各自交替地包含含贵金属的第1材料层(6₁)和第2材料层(6₂)，其中第2材料对第1材料是有选择地可腐蚀的，

-其中，层系列被腐蚀成具有侧面的层结构(6)，

-其中，支撑结构(7)，它至少覆盖层结构(6)的一侧面并机械和电连接第1材料层，

-其中，第2材料层(6₂)对第1材料层(6₁)和支撑结构(7)有选择地除去，

-其中，在第1材料层和支撑结构(6₁，7)的暴露表面上保形蒸镀高ε介电材料和铁电材料的电容器介电材料(9)，

-其中，在电容器介电材料上产生第2电极。

8.根据权利要求7的方法，其中，借助第1材料的保形沉积，接着借助对侧墙各向异性反腐蚀产生支撑结构，以及其中，腐蚀孔(8)直到层结构内，它使第1材料层和第2材料层的表面暴露。

9.根据权利要求8的方法，其中，开孔处于层结构(6)的边缘旁。

10.根据权利要求8的方法，其中，开孔进入层结构的内部，以至支撑结构留在层结构的所有外侧面上。

11.根据权利要求8的方法，其中，在层结构内形成开孔时，具有支撑结构的层结构分成由一缝隙相隔的两分区，其中每一分区表示电容器的一第一电极。

12.根据权利要求7的方法，其中，借助各向异性的倾斜蒸镀过程产生支撑结构。

13.根据权利要求1的电容器的制造方法，

-其中，在载体(1，2)表面产生一层系列，该层系列各自交替地包含，有贵金属的第1材料层(6₁)和第2材料层(6₂)，其中，第2材料相对第1材料是有选择地可腐蚀的，

-其中，在层系列内形成一开孔，

-其中，在开孔内形成填满开孔的支撑结构(7)，

-其中，层系列在各向异性腐蚀过程中腐蚀成具有内部平放的支撑结构的层结构(6)，

-其中，第2材料层(6₂)相对第1材料层(6₁)和支撑结构(7)有选择地除去，

-其中，在第1材料层和支撑结构层(6₁，7)的暴露表面上保形淀积高ε介电材料或铁电材料的电容器介电材料(9)，

-其中，在电容器介电材料(9)上产生第2电极(10)。

14.根据权利要求7-13之一的方法，其中，第1材料层(6₁)由Pt，Ir或RuO产生，第2材料层(6₂)由相对其有选择地可腐蚀的金属，尤其是Al和Ti产生。

15.根据权利要求7-14之一方法，其中，在载体(2)上或在层系列的最下层淀积一阻止腐蚀层(5)。