[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

在半导体晶片上形成多个大规模集成电路(LSI)；

将半导体晶片切割成分立的LSI芯片；

重新排列和集成切割的LSI芯片中预定数量的N个切割的LSI芯片；

检查切割的LSI芯片；以及

在所述检查步骤得到的检查结果的基础上筛选LSI芯片。

2.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中在所述切割步骤之后立即进行所述重新排列和集成步骤。

3.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中所述LSI芯片的数量N不少于两个，并且小于从半导体晶片上切割下的LSI芯片的总数。

4.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中所述检查步骤包括老化步骤。

5.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中通过使用集成用夹具进行所述重新排列和集成步骤。

6.用权利要求1的半导体器件的制造方法制造的半导体器件。

7.一种半导体器件的检查方法，用于检查通过在半导体晶片上形成多个大规模集成电路并将半导体晶片切割成分立的LSI芯片得到的半导体器件芯片，包括以下步骤：

重新排列所述切割的LSI芯片并集成预定数量的N个LSI芯片；

检查所述数量的N个切割的LSI芯片；以及

在所述检查步骤中得到的检查结果的基础上筛选LSI芯片。

8.根据权利要求7的半导体器件的检查方法，其中所述LSI芯片的数量N不少于两个，并且小于从半导体晶片上切割下的LSI芯片的总数。

9.根据权利要求7的半导体器件的检查方法，其中所述检查步骤包括老化步骤。

10.根据权利要求7的半导体器件的检查方法，其中通过使用集成用夹具进行所述重新排列和集成步骤。

11.根据权利要求10的半导体器件检查方法中使用的夹具，其中所述夹具由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成，并且在所述夹具部分中形成重新排列预定数量的N个切割的LSI芯片。

12.根据权利要求11的半导体检查方法中使用的夹具，其中包括由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的板形基板，和设置在所述基板上由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的底板，重新排列预定数量的N个切割LSI芯片的开口在所述底板内形成预定数量N个。

13.根据权利要求12的半导体器件检查方法中使用的夹具，其中至少所述基板和所述底板中的一个由硅形成。

14.根据权利要求12的半导体器件检查方法中使用的夹具，其中至少所述基板和所述底板中的一个由氮化铝形成。

15.根据权利要求12的半导体器件检查方法中使用的夹具，其中包括设置在所述底板上的板形接触器，在所述接触器的一个表面上提供有探针部分，分别电连接到重新排列在所述夹具内的预定数量的N个LSI芯片的电极部分，所述接触器的另一表面提供有分别电连接到所述探针部分的第二电极。

16.根据权利要求15的半导体器件检查方法中使用的夹具，其中所述接触器由硅形成。

17.根据权利要求15的半导体器件检查方法中使用的夹具，其中所述接触器由氮化铝形成。

18.根据权利要求15的半导体器件检查方法中使用的夹具，其中设置在所述接触器另一表面上的所述数量的N个第二电极以0.5mm到1.5mm的间距形成。