[发明专利]防短路的绝缘栅极双极晶体管模块有效
| 申请号： | 99120350.X | 申请日： | 1999-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1248794A | 公开（公告）日： | 2000-03-29 |
| 发明（设计）人： | T·朗;H·R·策勒 | 申请（专利权）人： | 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 短路 绝缘 栅极 双极晶体管 模块 | ||
1.一种功率半导体模块，在外壳(1)中含有衬底(2)，接触支柱(3)，以及一种带两个主电极(5，6)的半导体芯片，其中，
a)第一个主电极(5)与衬底(2)保持电接触，而第二个主电极
(6)则与接触支柱(3)保持电接触，
b)在一个主电极(5，6)与衬底(2)或接触支柱(3)之间提供
一种导电涂层(7)，
其特征在于，
c)涂层(7)包含一种材料，该材料与半导体材料一起组成一种化
合物或合金，其熔点低于半导体材料的熔点。
2.根据权利要求1的功率半导体模块，其特征在于，涂层(7)为一种薄片或一种涂料。
3.根据权利要求2的功率半导体模块，其特征在于，衬底(2)与半导体芯片(4)之间的结点以及/或半导体芯片(4)与接触支柱(3)之间的结点不是一种粘接材料接头。
4.根据权利要求1的功率半导体模块，其特征在于，涂层(7)为一种焊剂涂层。
5.根据权利要求2或4的功率半导体模块，其特征在于，涂层(7)的厚度至少为半导体芯片(4)厚度的一半。
6.根据权利要求5的功率半导体模块，其特征在于，与半导体材料组成低共熔混合物的分量的体积至少占涂层(7)的10％。
7.根据权利要求6的功率半导体模块，其特征在于，半导体材料为硅，且涂层(7)的材料包含有铝、银、金、铜或镁或这些元素的化合物。
8.根据权利要求7的功率半导体模块，其特征在于，由硅和涂层(7)的材料组成的化合物的熔点低于900℃。
9.根据权利要求8的功率半导体模块，其特征在于，半导体芯片(4)为一个IGBT或一个二极管。
10.根据权利要求9的功率半导体模块，其特征在于，外壳(1)在包围半导体芯片(4)时并不是气密的。
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