[发明专利]具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器无效
| 申请号： | 99120597.9 | 申请日： | 1993-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1254958A | 公开（公告）日： | 2000-05-31 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 薄膜晶体管 电子器件 矩阵 器件 光电 显示 半导体 存贮器 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，
所述薄膜晶体管包括：
一衬底；
一氮化硅膜，在衬底上形成；
一氧化硅膜，在氮化硅膜上形成；
一半导体膜，在氧化硅膜上形成，含有源极区和漏极区和介在两者之间的沟道区；
一栅电极，毗邻至少所述沟道区形成，两者之间有一栅绝缘膜。
2.根据权利要求1的晶体管，其特征在于，其中衬底是玻璃衬底。
3.权利要求1所述的晶体管，其特征在于，
其中氮化硅膜厚度在5-200纳米范围；
其中氧化硅膜厚度在20-1000纳米的范围。
4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体膜含碳量的浓度以SIMS分析法测定为1×1017原子/立方厘米或更低。
5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体膜含氮量的浓度以SIMS分析法测定为1×1017原子/立方厘米。
6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体膜含氧量的浓度以SIMS分析法测定为1×1017原子/立方厘米。
7.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述沟道区所含杂质的浓度以SIMS分析法测定为1×1017厘米-3。
8.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道区含一非晶硅层和在非晶硅层上的晶硅层。
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