[发明专利]带有每位线栓柱四个节点和两级字线布局的61/4f2DRAM单元结构

权利要求书

1.一种半导体存储器，包括：

多个第一字线和多个第二字线，所述多个第一字线主要在与所述多个第二字线主要延伸的不同平面内延伸。

2.根据权利要求1的半导体存储器，包括多个电容器，选择性地连接到相关的所述多个第一和第二字线中的一组上，所述电容器由沟槽电容器、叠置电容器、或它们的组合组成。

3.根据权利要求1的半导体存储器，其中所述多个第一字线与所述多个第二字线正交。

4.根据权利要求1的半导体存储器，其中所述场效应晶体管组成垂直或水平的器件。

5.根据权利要求1的半导体存储器，其中每个单元占据的表面积为6.25f²。

6.一种半导体存储器，包括一个单元四柱，该单元包括设置在位线栓柱周围的四个晶体管栅极，每个单元四柱包括四个场效应晶体管和四个单元电容器，每个场效应晶体管的漏/源区通过带连接到相关的单元电容器。

7.根据权利要求6的半导体存储器，其中所述存储器在半导体衬底中实现，所述带埋置在所述半导体衬底内。

8.根据权利要求6的半导体存储器，其中所述存储器在半导体衬底中实现，所述场效应晶体管制备为水平或垂直器件或它们的组合。

9.根据权利要求6的半导体存储器，还包括多个第一字线和多个第二字线，所述多个第一字线主要在与所述多个第二字线主要延伸的不同平面内延伸。

10.根据权利要求9的半导体存储器，其中所述多个第一字线基本上垂直于所述多个第二字线设置。

11.根据权利要求6的半导体存储器，还包括主要在与所述多个第一字线和所述多个第二字线所在的平面不同并与所述多个第二字线正交设置的平面内延伸的位线。

12.根据权利要求6的半导体存储器，其中所述单元电容器由沟槽电容器、叠置电容器、沟槽/叠置电容器或它们的组合中的一个组成。

13.根据权利要求6的半导体存储器，其中每个单元占据的表面积为6.25f²。

14.一种半导体存储器的制造方法，包括：

在半导体衬底上设置栅氧化层；

在所述栅氧化层上设置氮化硅层；

在所述氮化硅层上设置BPSG填充层；

在所述BPSG填充层中腐蚀出多个孔，所述氮化硅层起腐蚀终止的作用；

进行氮化硅剥离，由此在所述孔中露出所述栅氧化物；以及

用厚度基本上小于每个孔的多晶硅填充所述多个孔。

15.根据权利要求14的半导体存储器的制造方法，还包括使用反应离子腐蚀技术、镶嵌技术或它们的组合组成的处理方法形成金属层的步骤。

16.一种半导体存储器，包括多个第一字线和多个第二字线，所述多个第一字线与所述多个第二字线正交设置。

17.根据权利要求16的半导体存储器，还包括多个单元电容器，选择性地连接到所述多个第一和第二字线中的一组上。

18.根据权利要求17的半导体存储器，其中每个所述单元电容器形成制备为叠置器件的器件的至少一部分。

19.根据权利要求17的半导体存储器，其中每个所述电容器形成制备为沟槽器件的器件的至少一部分。